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1. (WO2010001804) AlxGa(1-x)N単結晶の製造方法、AlxGa(1-x)N単結晶および光学部品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001804    国際出願番号:    PCT/JP2009/061612
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 25.06.2009
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), G02B 1/02 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ARAKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKURADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ARAKAWA, Satoshi; (JP).
SAKURADA, Takashi; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
TANIZAKI, Keisuke; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2008-172563 01.07.2008 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL, AlXGa(1-X)N SINGLE CRYSTAL, AND OPTICS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL D'ALXGA(1-X)N, MONOCRISTAL D'ALXGA(1‑X)N ET OPTIQUES
(JA) AlxGa(1-x)N単結晶の製造方法、AlxGa(1-x)N単結晶および光学部品
要約: front page image
(EN)A process for the production of an AlXGa(1-X)N single crystal (10) (wherein 0XGa(1-X)N single crystal by a sublimation method, which comprises the step of preparing a substrate having the same compositional ratio (x) as that of the AlXGa(1-X)N single crystal, the step of preparing a high-purity raw material, and the step of sublimating the raw material to grow an AlXGa(1-X)N single crystal on the substrate.  The AlXGa(1-X)N single crystal (10) exhibits an absorption coefficient of 100cm-1 or below for a light having a wavelength of 250nm to shorter than 300nm and an absorption coefficient of 21cm-1 or below for a light having a wavelength of 300nm to shorter than 350nm, each absorption coefficient being determined at 300K.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N (avec 0 < x ≤ 1) en faisant croître un monocristal d'AlxGa(1‑x)N par un procédé de sublimation qui comprend l'étape qui consiste à préparer un substrat qui présente le même rapport de composition (x) que celui du monocristal d'AlxGa(1‑x)N, l'étape qui consiste à préparer une matière première de haute pureté et l'étape qui consiste à sublimer la matière première pour faire croître un monocristal d'AlxGa(1‑x)N sur le substrat. Le monocristal (10) d'AlxGa(1‑x)N a un coefficient d'absorption de 100 cm-1 ou moins pour une lumière d'une longueur d'onde de 250 nm à moins de 300 nm et un coefficient d'absorption de 21 cm-1 ou moins pour une lumière d'une longueur d'onde de 300 nm à moins de 350 nm, chaque coefficient d'absorption étant déterminé à 300 K.
(JA) AlxGa(1-x)N(0<x≦1)単結晶(10)の製造方法は、昇華法によりAlxGa(1-x)N単結晶を成長させる方法であって、以下の工程を備えている。AlxGa(1-x)N単結晶と同一の組成比xを有する下地基板が準備される。高純度の原料が準備される。原料を昇華させて下地基板上にAlxGa(1-x)N単結晶が成長される。またAlxGa(1-x)N単結晶(10)は、300Kで測定された、250nm以上300nm未満の波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下であり、300nm以上350nm未満の波長の光に対する吸収係数が21cm-1以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)