WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010001709) 炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001709    国際出願番号:    PCT/JP2009/060788
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 12.06.2009
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OYANAGI Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOGOI Hisao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OYANAGI Naoki; (JP).
KOGOI Hisao; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; (JP)
優先権情報:
2008-176255 04.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SILICONE CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) GERME CRISTALLIN POUR LA CROISSANCE D’UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE, ET MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE
(JA) 炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A seed crystal for the growth of a silicon carbide single crystal is provided which inhibits crystal defects from generating at the interface between the seed crystal and graphite and with which a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be produced with satisfactory reproducibility.  The seed crystal for the growth of a silicon carbide single crystal is a seed crystal (13) for silicon carbide single-crystal growth which is to be attached to the lid of a graphite crucible filled with a raw silicon carbide powder.  The seed crystal (13) comprises: a seed crystal (4) which is constituted of silicon carbide and one side of which is a growth surface (4a) where a silicon carbide single crystal is to be grown by the sublimation method; and a carbon film (12) formed on the side (4b) opposite to the growth surface of the seed crystal (4), the carbon film (12)  having a density of 1.2-3.3 g/cm3.
(FR)L’invention concerne un germe cristallin pour la croissance d'un monocristal de carbure de silicium qui empêche les défauts cristallins de se générer à la surface entre le germe cristallin et du graphite et avec lequel un monocristal de carbure de silicium de haute qualité ayant une faible densité de défaut cristallin peut être produit avec une reproductibilité satisfaisante. Le germe cristallin pour la croissance d'un monocristal de carbure de silicium est un germe cristallin (13) pour la croissance de monocristal de carbure de silicium qui doit être attaché au couvercle d’un creuset en graphite rempli de poudre de carbure de silicium brut. Le germe cristallin (13) comprend : un germe cristallin (4) qui est constitué de carbure de silicium et dont un côté est une surface de croissance (4a) où un monocristal de carbure de silicium doit être mis à croître par la méthode de sublimation ; et un film en carbone (12) formé sur le côté (4b) opposé à la surface de croissance du germe cristallin (4), le film en carbone (12) ayant une masse volumique de 1,2 à 3,3 g/cm3.
(JA) 種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶が提供される。そのような炭化珪素単結晶成長用種結晶として、炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶(13)であって、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面(4a)とされた炭化珪素からなる種結晶(4)と、前記種結晶(4)の前記成長面の反対側の面(4b)に形成されたカーボン膜(12)とからなり、前記カーボン膜(12)の膜密度が1.2~3.3g/cmである炭化珪素単結晶成長用種結晶(13)を用いる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)