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1. (WO2010001686) グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001686    国際出願番号:    PCT/JP2009/060402
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 01.06.2009
IPC:
H01L 21/268 (2006.01), C01B 31/04 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (JP only).
HIURA, Hidefumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TADA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAYAMA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIURA, Hidefumi; (JP).
TADA, Tetsuya; (JP).
KANAYAMA, Toshihiko; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; (JP)
優先権情報:
2008-172241 01.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE USING GRAPHEME-GRAPHITE FILM AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT UN FILM DE GRAPHÈME-GRAPHITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A grapheme-graphite film (4) is made of inexpensive and easily available diamond fine particles.  The diamond fine particles are coated, as a colloid solution, on a substrate (1) made of an appropriate material.  The coating requires no special expensive facility and is performed in an atmosphere at a room temperature.  The diamond fine particle film (2) formed by coating is transformed to the grapheme-graphite film (4) by using a phase change from diamond to graphite, which is generated by a heat source (3) capable of locally focusing energy.  The grapheme-graphite film (4) is formed with arbitrary shapes at arbitrary positions, so that a semiconductor device including wirings, electrodes, and channels made of the grapheme-graphite film (4) is fabricated.
(FR)Le film de graphème-graphite (4) selon la présente invention est constitué de fines particules de diamant peu coûteuses et facilement disponibles. Les fines particules de diamant sont déposées, en tant que solution de colloïde, sur un substrat (1) constitué d’un matériau approprié. Le revêtement ne requiert aucun équipement particulier coûteux et est effectué dans une atmosphère à température ambiante. Le film de fines particules de diamant (2) formé par revêtement est transformé en film de graphème-graphite (4) à l’aide d’un changement de phase du diamant au graphite, qui est généré par une source de chaleur (3) capable de focaliser l’énergie localement. Le film de graphème-graphite (4) est constitué de formes arbitraires à des emplacements arbitraires, de manière à ce qu’un dispositif à semi-conducteur incluant des câblages, des électrodes et des canaux constitués du film de graphème-graphite (4) soit fabriqué.
(JA)グラフェン・グラファイト膜4は、安価で入手し易いダイヤモンド微粒子を原料とする。ダイヤモンド微粒子はコロイド溶液として適当な材料からなる基板1上に塗布される。塗布には高価な特別の設備は不要で、大気中、室温で行われる。塗布によって形成されたダイヤモンド微粒子膜2は、局所的にエネルギーを集中できる熱源3により、ダイヤモンドからグラファイトへの相変化を利用することで、グラフェン・グラファイト膜4に変換される。任意の場所、任意の形状のグラフェン・グラファイト膜4が形成され、グラフェン・グラファイト膜4からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)