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1. (WO2010001536) 半導体集積回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001536    国際出願番号:    PCT/JP2009/002739
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 16.06.2009
IPC:
H03K 19/00 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ARIMURA, Takuya; (米国のみ)
発明者: ARIMURA, Takuya;
代理人: WASHIDA, Kimihito; (JP)
優先権情報:
2008-175013 03.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体集積回路装置
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor integrated circuit device which achieves a lower power consumption LSI and a reduction in power consumption of the LSI without degrading other performances.  A lower power consumption LSI (101) is provided with an aged deterioration factor table (104) for storing mainly the operating voltage value obtained by subtracting a voltage corresponding to an aged deterioration margin from a reference voltage in the early stage of an operation in which aged deterioration rarely occurs, and, with the progress of the aged deterioration, storing the operating voltage value that stepwise approaches the reference voltage in order to ensure the same performance.  A power supply voltage control unit (102) acquires the optimum operating voltage value from the actual use time stored in a nonvolatile storage device (105) and the value of the aged deterioration factor table (104) and changes the power supply voltage according to the acquired operating voltage value.
(FR)L’invention concerne un dispositif de circuit intégré à semi-conducteurs qui réalise une LSI (intégration à grande échelle) à basse consommation d’énergie et une réduction de la consommation d’énergie de la LSI sans nuire à d’autres performances. Une LSI à basse consommation d’énergie (101) est munie d’une table de facteurs de détérioration par vieillissement (104) pour stocker principalement la valeur de tension de fonctionnement obtenue en soustrayant une tension, correspondant à une marge de détérioration par vieillissement, d’une tension de référence dans le premier stade d’un fonctionnement durant lequel une détérioration par vieillissement se produit rarement, et, avec l’évolution de la détérioration par vieillissement, mémoriser la valeur de tension de fonctionnement qui approche de manière progressive la tension de référence afin de garantir la même performance. Une unité de régulation de tension d’alimentation (102) acquiert la valeur de tension de fonctionnement optimale à partir du temps réel d’utilisation mémorisé dans le dispositif de mémoire non-volatile (105) et de la valeur de la table de facteurs de détérioration par vieillissement (104) et change la tension d’alimentation en fonction de la valeur de tension de fonctionnement acquise.
(JA) 他の性能を落とさずに低消費電力化LSI及びLSIの低消費電力化を達成する半導体集積回路装置を提供すること。低消費電力化LSI(101)は、経年劣化の少ない動作初期の段階は、主に基準電圧から経年劣化マージンに相当する電圧を差し引いた動作電圧値を記憶し、経年劣化が進むとともに同一性能を保証するため段階的に動作電圧値が基準電圧に近づいていく動作電圧値を記憶する経年劣化係数テーブル(104)を備え、電源電圧制御部(102)は、不揮発記憶装置(105)に記憶された実使用時間と経年劣化係数テーブル(104)の値から最適な前記動作電圧値を求め、この動作電圧値を基に電源電圧を変化させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)