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1. (WO2010001525) パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001525    国際出願番号:    PCT/JP2009/002341
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 27.05.2009
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ENDOU, Masayuki; (米国のみ).
SASAGO, Masaru; (米国のみ)
発明者: ENDOU, Masayuki; .
SASAGO, Masaru;
代理人: MAEDA, Hiroshi; (JP)
優先権情報:
2008-176152 04.07.2008 JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS
(JA) パターン形成方法
要約: front page image
(EN)A first resist film (102) is formed on a substrate (101), and a first pattern light exposure is performed by irradiating the exposure light through a first mask (103A) onto the first resist film (102). Then the first resist film (102) is developed to form a first resist pattern (102a) from the first resist film (102). Next, nanocarbon is affixed to the surface of the first resist pattern (102a), then a second resist film (105) is formed on the substrate (101) including the first resist pattern (102a). Next, the exposure light irradiates the second resist film (105) through a second mask (103B) to perform the second pattern light exposure. The second resist film (105) is developed to form the second resist pattern (105a) from the second resist film (105).
(FR)Un premier film de protection (102) est formé sur un substrat (101) et une première exposition lumineuse de motif est réalisée en exposant le premier film de protection (102) à la lumière d’exposition à travers un premier masque (103A). Le premier film de protection (102) est ensuite créé de manière à former un premier motif de protection (102a) à partir du premier film de protection (102). Par la suite, du nanocarbone est fixé sur la surface du premier motif de protection (102a), puis un second film de protection (105) est formé sur le substrat (101) incluant le premier motif de protection (102a). La lumière d’exposition éclaire ensuite le second film de protection (105) à travers un second masque (103B) en vue d’effectuer la seconde exposition lumineuse de motif. Le second film de protection (105) est créé de manière à former le second motif de protection (105a) à partir du second film de protection (105).
(JA) 基板(101)の上に第1のレジスト膜(102)を形成し、第1のレジスト膜(102)に第1のマスク(103A)を介した露光光を照射する第1のパターン露光を行う。その後、第1のレジスト膜(102)を現像して、第1のレジスト膜(102)から第1のレジストパターン(102a)を形成する。続いて、第1のレジストパターン(102a)の表面にナノカーボンを付着し、その後、第1のレジストパターン(102a)を含む基板(101)の上に第2のレジスト膜(105)を形成する。続いて、第2のレジスト膜(105)に第2のマスク(103B)を介した露光光を照射して第2のパターン露光を行い、第2のレジスト膜(105)を現像して、第2のレジスト膜(105)から第2のレジストパターン(105a)を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)