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1. (WO2010001513) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001513    国際出願番号:    PCT/JP2009/001759
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 16.04.2009
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKITA, Masaaki; (米国のみ).
SAWADA, Kazuyuki; (米国のみ).
HARADA, Yuji; (米国のみ).
KANEKO, Saichirou; (米国のみ).
YAMAGIWA, Hiroto; (米国のみ)
発明者: OKITA, Masaaki; .
SAWADA, Kazuyuki; .
HARADA, Yuji; .
KANEKO, Saichirou; .
YAMAGIWA, Hiroto;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
優先権情報:
2008-174731 03.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a first diffusion region (101) of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate (100) of a first conductivity type, a second diffusion region (108) formed on the first diffusion region (101), a third diffusion region (103) of the second conductivity type formed on the semiconductor substrate at a certain distance from the second diffusion region, a fourth diffusion region (106) of the first conductivity type formed on the semiconductor substrate adjacent to the third diffusion region and electrically connected with the third diffusion region, an insulating film (104) formed on a region between the first diffusion region and the third diffusion region, and a gate electrode (105) formed on the insulating film. The impurity concentration in the first diffusion region (101) is higher than the concentration at which a depletion layer extended from the junction surface between the first diffusion region (101) and the semiconductor substrate (100) is formed in a portion of the first diffusion region (101) lying between the second diffusion region (108) and the gate electrode (105) when a voltage is applied to the second diffusion region (108).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur comprenant une première région de diffusion (101) d’un second type de conductivité formée sur un substrat semi-conducteur (100) d’un premier type de conductivité, une deuxième région de diffusion (108) formée sur la première région de diffusion (101), une troisième région de diffusion (103) du second type de conductivité formée sur le substrat semi-conducteur à une certaine distance de la deuxième région de diffusion, une quatrième région de diffusion (106) du premier type de conductivité formée sur le substrat semi-conducteur adjacent à la troisième région de diffusion et électriquement connecté à la troisième région de diffusion, un film isolant (104) formé sur une région située entre la première région de diffusion et la troisième région de diffusion, et une électrode de grille (105) formée sur le film isolant. La concentration des impuretés dans la première région de diffusion (101) est supérieure à la concentration à laquelle une zone d’appauvrissement s’étendant à partir de la jonction entre la première région de diffusion (101) et le substrat semi-conducteur (100) est formée dans une partie de la première région de diffusion (101) disposée entre la deuxième région de diffusion (108) et l’électrode de grille (105) lorsqu’une tension est appliquée à la deuxième région de diffusion (108).
(JA) 半導体装置は、第1導電型の半導体基板(100)上に形成された第2導電型の第1拡散領域(101)と、第1拡散領域(101)上に形成された第2拡散領域(108)と、半導体基板上で第2拡散領域から所定の間隔離れた第2導電型の第3拡散領域(103)と、半導体基板上に、第3拡散領域に隣接し且つ第3拡散領域と電気的に接続された第1導電型の第4拡散領域(106)と、第1拡散領域と第3拡散領域との間の部分上に、絶縁膜(104)及びその上のゲート電極(105)とを備える。第1拡散領域(101)の不純物濃度は、第2拡散領域(108)に電圧を印加した際に、第1拡散領域(101)と半導体基板(100)との接合面から拡張する空乏層が第2拡散領域(108)とゲート電極(105)との間に挟まれた第1拡散領域(101)の部分に形成される濃度より高い濃度である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)