WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010001473) 光起電力装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001473    国際出願番号:    PCT/JP2008/062100
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 03.07.2008
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIZUGUCHI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORIKAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIZUGUCHI, Kazuo; (JP).
MORIKAWA, Hiroaki; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOVOLTAIC SYSTEM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) SYSTÈME PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A photovoltaic system which is capable of equalizing the width of a front surface electrode generated in the condition of fast baking to that of a conventional one which is not generated in the condition. The photovoltaic system has a p-type silicon substrate (101), an n-type diffused layer (102) generated on the light incident surface side of the p-type silicon substrate (101), front surface electrodes (110) generated on the n-type diffused layer (102), a p+ layer (103) generated on a rear surface opposite to the light incident surface of the p-type silicon substrate (101), and a rear surface electrode (120) generated at predetermined positions on the p+ layer (103). The front surface electrodes (110) respectively have a first electrode layer (111) generated on the n-type diffused layer (102) and at least one second electrode layer (112) generated on the first electrode layer (111) and having a specific resistance smaller than that of the first electrode layer (111).
(FR)Le système photovoltaïque selon la présente invention est en mesure d’égaliser la largeur d’une électrode de surface avant générée lors d’une cuisson rapide par rapport à celle d’une électrode classique qui n’est pas générée dans cette condition. Le système photovoltaïque est doté d’un substrat de silicium de type P (101), d’une couche diffusée de type N (102) générée du côté de la surface du substrat de silicium de type P (101) où la lumière est incidente, d’électrodes de surface avant (110) générées sur la couche diffusée de type N (102), d’une couche P+ (103) générée sur une surface arrière à l’opposé de la surface du substrat de silicium de type P (101) où la lumière est incidente, et d’une électrode de surface arrière (120) générée à des positions prédéterminées sur la couche P+ (103). Les électrodes de surface avant (110) sont respectivement pourvues d’une première couche d’électrode (111) générée sur la couche diffusée de type N (102) et d’au moins une seconde couche d’électrode (112) générée sur la première couche d’électrode (111) et présentant une résistance spécifique inférieure à celle de la première couche d’électrode (111).
(JA) 高速焼成条件で表面電極を形成しても、電極の幅を高速焼成条件で作製しない従来の場合と同等にすることができる光起電力装置を得ること。p型シリコン基板101と、p型シリコン基板101の光の入射面側に形成されたn型拡散層102と、n型拡散層102上に形成される表面電極110と、p型シリコン基板101の光の入射面に対向する裏面に形成されるp+層103と、p+層103上の所定の位置に形成される裏面電極120と、を備え、表面電極110は、n型拡散層102上に形成される第1の電極層111と、第1の電極層111上に形成され、第1の電極層111よりも比抵抗の小さい1層以上の第2の電極層112と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)