(EN) Disclosed is a shallow trench isolation structure having excellent insulating properties. Also disclosed is a simple and low-cost method for formation of the shallow trench isolation structure. The shallow trench isolation structure has a surface groove structure embedded with a silicon dioxide film. The silicon dioxide film is localized on the surface side of a substrate, and vacancies are present on the bottom part of the grooves. The isolation structure can be formed by coating a polysilazane composition onto a surface of a substrate, exposing the surface of the coating film to ultraviolet light to cure a part of the polysilazane present near the surface of the coating film, and, furthermore, firing the coating film.
(FR) La présente invention a trait à une structure d’isolement de tranchée peu profonde présentant d’excellentes propriétés d’isolement. La présente invention a également trait à un procédé simple et peu onéreux permettant de former la structure d’isolement de tranchée peu profonde. La structure d’isolement de tranchée peu profonde est dotée d’une structure de rainure de surface enrobée d’un film de dioxyde de silicium. Le film de dioxyde de silicium est situé du côté de la surface d’un substrat et des trous sont présents sur la partie inférieure des rainures. La structure d’isolement peut être formée en enduisant une surface d’un substrat d’une composition de polysilazane, en exposant la surface du film de revêtement à un rayonnement ultraviolet de manière à durcir une partie du polysilazane présent à proximité de la surface du film d’enduction et, en outre, en cuisant le film d’enduction.
(JA) 本発明によれば、絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法が提供される。このシャロー・トレンチ・アイソレーション構造は、表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるものである。このようなアイソレーション構造は、基板表面にポリシラザン組成物を塗布し、前記塗膜の表面に紫外線を照射して、塗膜の表面近傍にあるポリシラザンの一部を硬化させ、さらに前記塗膜を焼成することにより形成させることができる。