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1. WO2009157228 - スパッタリング装置、スパッタリング方法及び発光素子の製造方法

公開番号 WO/2009/157228
公開日 30.12.2009
国際出願番号 PCT/JP2009/055409
国際出願日 19.03.2009
予備審査請求日 09.09.2009
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 14/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
50基板保持具
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC
C23C 14/541
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
541Heating or cooling of the substrates
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 石橋 啓次 ISHIBASHI, Keiji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 石橋 啓次 ISHIBASHI, Keiji
代理人
  • 大塚康徳 OHTSUKA, Yasunori
優先権情報
2008-16675626.06.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING APPARATUS, SPUTTERING METHOD AND LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT LUMINESCENT
(JA) スパッタリング装置、スパッタリング方法及び発光素子の製造方法
要約
(EN)
A sputtering apparatus is provided with a vacuum container (1) which can be in a vacuum state by having air released therefrom; a substrate holder (40), which is arranged inside the vacuum container (1) and provided with holding mechanisms (30, 31) for holding a substrate (8) by making a surface to be treated face downward; a target supporting section (15), which is arranged directly below the substrate holder (40) to face the substrate (8) and supports a target (16); and heating mechanisms (60, 61) for heating at least a part of the surface of a region of the substrate holder (40) exposed to a film forming material generated from the target (16) to the decomposition temperature or the evaporation temperature of the film forming material or more.
(FR)
La présente invention porte sur un appareil de pulvérisation qui est pourvu d'un réservoir sous vide (1) qui peut être dans un état sous vide après libération de l'air qu’il contient ; un support de substrat (40), qui est disposé à l'intérieur du réservoir sous vide (1) et pourvu de mécanismes de retenue (30, 31) pour retenir un substrat (8) en faisant qu'une surface soit traitée face vers le bas ; une section de support de cible (15) qui est disposée directement sous le support de substrat (40) pour faire face au substrat (8) et qui supporte une cible (16) ; et des mécanismes de chauffage (60, 61) pour chauffer au moins une partie de la surface d'une région du support de substrat (40) exposée à un matériau formant un film généré par la cible (16) à une température égale ou supérieure à la température de décomposition ou à la température d'évaporation du matériau formant un film.
(JA)
 スパッタリング装置は、真空排気することが可能な真空容器1と、真空容器1の内部に配設され、その処理されるべき面を下方へ臨ませて基板8を保持する保持機構30,31を備えた基板ホルダ40と、基板ホルダ40の直下に基板8に対向させて配置され、ターゲット16を支持するターゲット支持部15と、基板ホルダ40の、ターゲット16から生成される成膜材料に曝される領域の少なくとも一部の表面温度を成膜材料の分解温度または蒸発温度以上に加熱する加熱機構60,61と、を備える。
他の公開
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