(EN) A sputtering apparatus is provided with a vacuum container (1) which can be in a vacuum state by having air released therefrom; a substrate holder (40), which is arranged inside the vacuum container (1) and provided with holding mechanisms (30, 31) for holding a substrate (8) by making a surface to be treated face downward; a target supporting section (15), which is arranged directly below the substrate holder (40) to face the substrate (8) and supports a target (16); and heating mechanisms (60, 61) for heating at least a part of the surface of a region of the substrate holder (40) exposed to a film forming material generated from the target (16) to the decomposition temperature or the evaporation temperature of the film forming material or more.
(FR) La présente invention porte sur un appareil de pulvérisation qui est pourvu d'un réservoir sous vide (1) qui peut être dans un état sous vide après libération de l'air qu’il contient ; un support de substrat (40), qui est disposé à l'intérieur du réservoir sous vide (1) et pourvu de mécanismes de retenue (30, 31) pour retenir un substrat (8) en faisant qu'une surface soit traitée face vers le bas ; une section de support de cible (15) qui est disposée directement sous le support de substrat (40) pour faire face au substrat (8) et qui supporte une cible (16) ; et des mécanismes de chauffage (60, 61) pour chauffer au moins une partie de la surface d'une région du support de substrat (40) exposée à un matériau formant un film généré par la cible (16) à une température égale ou supérieure à la température de décomposition ou à la température d'évaporation du matériau formant un film.
(JA) スパッタリング装置は、真空排気することが可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、その処理されるべき面を下方へ臨ませて基板８を保持する保持機構３０，３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、ターゲット１６を支持するターゲット支持部１５と、基板ホルダ４０の、ターゲット１６から生成される成膜材料に曝される領域の少なくとも一部の表面温度を成膜材料の分解温度または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０，６１と、を備える。