(EN) A second conductivity type impurity diffusion layer and an antireflection film are formed on one side of a first conductivity type semiconductor substrate. A glass-containing first electrode material is coated on the antireflection film. A passivation film is formed on the other side of the semiconductor substrate. A plurality of opening parts, which reaches the other side of the semiconductor substrate, is formed in at least a part of the passivation film. A second electrode material containing the first conductivity type impurity element is coated so as to embed the plurality of opening parts and so as not to come into contact with the second electrode material in the adjacent opening part. A third electrode material is coated onto the passivation film so as to come into contact with the coated whole second electrode material. After coating the first electrode material and the third electrode material, the semiconductor substrate is heated at a predetermined temperature. The above constitution can realize simultaneous formation of a first electrode, which passes through the antireflection film and is electrically connected to the impurity diffusion layer, a high-concentration region, in which, on the other side of the semiconductor substrate, the first conductivity type impurity is diffused in a higher concentration than the other region of the semiconductor substrate, and the second and third electrodes electrically connected to the high-concentration region.
(FR) Selon l'invention, une couche de diffusion d'impuretés d'un second type de conductivité et un film antireflet sont formés sur un côté d'un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité. Un premier matériau d'électrode contenant du verre est déposé sous forme de revêtement sur le film antireflet. Un film de passivation est formé sur l'autre côté du substrat semi-conducteur. Plusieurs parties d'ouverture, qui atteignent l'autre côté du substrat semi-conducteur, sont formées dans au moins une partie du film de passivation. Un second matériau d'électrode contenant l'élément d'impureté de premier type de conductivité est déposé sous forme de revêtement de façon à incorporer les différentes parties d'ouverture et de façon à ne pas venir en contact avec le second matériau d'électrode dans la partie d'ouverture adjacente. Un troisième matériau d'électrode est déposé sous forme de revêtement sur le film de passivation de façon à venir en contact avec la totalité du second matériau d'électrode déposé sous forme de revêtement. Après dépôt sous forme de revêtement du premier matériau d'électrode et du troisième matériau d'électrode, le substrat semi-conducteur est chauffé à une température prédéterminée. La constitution ci-dessus peut permettre d'obtenir une formation simultanée d'une première électrode, qui passe à travers le film antireflet et est connectée électriquement à la couche de diffusion d'impuretés, d'une région à concentration élevée, dans laquelle, sur l'autre côté du substrat semi-conducteur, l'impureté de premier type de conductivité est diffusée dans une concentration supérieure à celle de l'autre région du substrat semi-conducteur, et des seconde et troisième électrodes connectées électriquement à la région à concentration élevée.
(JA) 第１導電型の半導体基板の一面側に第２導電型の不純物拡散層および反射防止膜を形成し、反射防止膜上にガラスを含む第１電極材料を塗布し、半導体基板の他面側にパッシベーション膜を形成し、パッシベーション膜の少なくとも一部に半導体基板の他面側に達する複数の開口部を形成し、第１導電型の不純物元素を含む第２電極材料を、複数の開口部を埋めるように且つ隣接する開口部の第２電極材料と接触しないように塗布し、塗布された全ての第２電極材料と接触するように第３電極材料をパッシベーション膜上に塗布し、第１電極材料および第３電極材料の塗布後に半導体基板を所定の温度で加熱することにより、反射防止膜を貫通して不純物拡散層に電気的に接続する第１電極と、半導体基板の他面側において第１導電型の不純物が半導体基板の他の領域よりも高濃度に拡散した高濃度領域と、高濃度領域に電気的に接続する第２電極および第３電極と、を同時に形成する。