Provided is a semiconductor processing device configured to replace atmosphere in a semiconductor processing chamber, in which a semiconductor is processed with the atmosphere maintained constant, in large volumes without the degradation of throughput and to introduce a processing gas with high accuracy at regular time or the like, so that the atmosphere can be always properly managed.  The semiconductor processing device is provided with the semiconductor processing chamber, in which the semiconductor is processed with the atmosphere maintained constant, and a vacuum evacuation system and a processing gas introduction system that are connected with the semiconductor processing chamber in order to adjust the atmosphere in the semiconductor processing chamber, wherein the processing gas introduction system is provided with a large volume mass flow controller and a small volume mass flow controller.  When large volumes of gas are supplied, the large volume mass flow controller can introduce the large volumes of gas without the degradation of throughput.  At regular time or the like, the small volumes of gas can be introduced while controlling the flow rate of the small volumes of gas with high accuracy without using an area wherein the large volume mass flow controller has low accuracy.

L'invention porte sur un dispositif de traitement de semi-conducteur configuré pour remplacer une atmosphère dans une chambre de traitement de semi-conducteur, dans laquelle un semi-conducteur est traité en maintenant l'atmosphère constante, dans de grands volumes sans dégradation de productivité et pour introduire un gaz de traitement avec une précision élevée à des instants réguliers ou analogues, de sorte que l'atmosphère peut être toujours correctement gérée. Le dispositif de traitement de semi-conducteur comprend la chambre de traitement de semi-conducteur, dans laquelle le semi-conducteur est traité en maintenant l'atmosphère constante, et un système d'évacuation à vide et un système d'introduction de gaz de traitement qui sont reliés à la chambre de traitement de semi-conducteur de façon à ajuster l'atmosphère dans la chambre de traitement de semi-conducteur, le système d'introduction de gaz de traitement comprenant un régulateur de débit massique pour grand volume et un régulateur de débit massique pour petit volume. Lorsque de grands volumes de gaz sont fournis, le régulateur de débit massique pour grand volume peut introduire les grands volumes de gaz sans dégradation de la productivité. A des instants réguliers ou analogues, les petits volumes de gaz peuvent être introduits tout en régulant le débit des petits volumes de gaz avec une précision élevée sans utiliser une zone dans laquelle le régulateur de débit massique pour grand volume a une précision faible.

　雰囲気を一定に保って半導体を処理する半導体処理室の雰囲気を大容量でスループットを低下させることなく置換し、定常時などには精度良く処理ガスを導入して雰囲気を常に適切に管理することができる半導体処理装置を提供する。雰囲気を一定に保って半導体を処理する半導体処理室を備え、前記半導体処理室の雰囲気調整を行うため半導体処理室に接続された真空排気系および処理ガス導入系を有し、前記処理ガス導入系には、大容量マスフローコントローラと小容量マスフローコントローラとを備える。大容量のガスを供給する際には、大容量マスフローコントローラによって大容量ガスをスループットを低下させることなく導入でき、定常時などには、大流量マスフローコントローラの精度の悪い領域を使うことなく、小容量ガスの流量を精度良く制御して導入できる。