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1. WO2009145030 - 半導体処理装置

公開番号 WO/2009/145030
公開日 03.12.2009
国際出願番号 PCT/JP2009/058490
国際出願日 30.04.2009
IPC
H01L 21/268 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
268電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
CPC
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
出願人
  • 株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 町田 政志 MACHIDA, Masashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 磯谷 嘉彦 ISOYA, Yoshihiko [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 町田 政志 MACHIDA, Masashi
  • 磯谷 嘉彦 ISOYA, Yoshihiko
代理人
  • 横井 幸喜 YOKOI, Koki
優先権情報
2008-13676926.05.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体処理装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor processing device configured to replace atmosphere in a semiconductor processing chamber, in which a semiconductor is processed with the atmosphere maintained constant, in large volumes without the degradation of throughput and to introduce a processing gas with high accuracy at regular time or the like, so that the atmosphere can be always properly managed.  The semiconductor processing device is provided with the semiconductor processing chamber, in which the semiconductor is processed with the atmosphere maintained constant, and a vacuum evacuation system and a processing gas introduction system that are connected with the semiconductor processing chamber in order to adjust the atmosphere in the semiconductor processing chamber, wherein the processing gas introduction system is provided with a large volume mass flow controller and a small volume mass flow controller.  When large volumes of gas are supplied, the large volume mass flow controller can introduce the large volumes of gas without the degradation of throughput.  At regular time or the like, the small volumes of gas can be introduced while controlling the flow rate of the small volumes of gas with high accuracy without using an area wherein the large volume mass flow controller has low accuracy.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de traitement de semi-conducteur configuré pour remplacer une atmosphère dans une chambre de traitement de semi-conducteur, dans laquelle un semi-conducteur est traité en maintenant l'atmosphère constante, dans de grands volumes sans dégradation de productivité et pour introduire un gaz de traitement avec une précision élevée à des instants réguliers ou analogues, de sorte que l'atmosphère peut être toujours correctement gérée. Le dispositif de traitement de semi-conducteur comprend la chambre de traitement de semi-conducteur, dans laquelle le semi-conducteur est traité en maintenant l'atmosphère constante, et un système d'évacuation à vide et un système d'introduction de gaz de traitement qui sont reliés à la chambre de traitement de semi-conducteur de façon à ajuster l'atmosphère dans la chambre de traitement de semi-conducteur, le système d'introduction de gaz de traitement comprenant un régulateur de débit massique pour grand volume et un régulateur de débit massique pour petit volume. Lorsque de grands volumes de gaz sont fournis, le régulateur de débit massique pour grand volume peut introduire les grands volumes de gaz sans dégradation de la productivité. A des instants réguliers ou analogues, les petits volumes de gaz peuvent être introduits tout en régulant le débit des petits volumes de gaz avec une précision élevée sans utiliser une zone dans laquelle le régulateur de débit massique pour grand volume a une précision faible.
(JA)
 雰囲気を一定に保って半導体を処理する半導体処理室の雰囲気を大容量でスループットを低下させることなく置換し、定常時などには精度良く処理ガスを導入して雰囲気を常に適切に管理することができる半導体処理装置を提供する。雰囲気を一定に保って半導体を処理する半導体処理室を備え、前記半導体処理室の雰囲気調整を行うため半導体処理室に接続された真空排気系および処理ガス導入系を有し、前記処理ガス導入系には、大容量マスフローコントローラと小容量マスフローコントローラとを備える。大容量のガスを供給する際には、大容量マスフローコントローラによって大容量ガスをスループットを低下させることなく導入でき、定常時などには、大流量マスフローコントローラの精度の悪い領域を使うことなく、小容量ガスの流量を精度良く制御して導入できる。
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