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1. (WO2009131190) 固体撮像素子およびその駆動方法ならびに撮像システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/131190    国際出願番号:    PCT/JP2009/058100
国際公開日: 29.10.2009 国際出願日: 23.04.2009
IPC:
H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/365 (2011.01)
出願人: KONICA MINOLTA OPTO, INC. [JP/JP]; 2970, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo, 1928505 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IWAMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IWAMOTO, Tsuyoshi; (JP)
代理人: KOTANI, Etsuji; Osaka Nakanoshima Building 2nd Floor, 2-2, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka, 5300005 (JP)
優先権情報:
2008-113447 24.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR DRIVING THE SAME, AND IMAGING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CE DISPOSITIF ET SYSTÈME D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像素子およびその駆動方法ならびに撮像システム
要約: front page image
(EN)In a solid-state imaging device, method for driving the solid-state imaging device, and imaging system using the solid-state imaging device, when information on the potential at the inflection point of a Linear-Log characteristic is read, a voltage control unit (2) sets, in light-shielding pixels in a solid-state imaging device (1), the gate voltage of a Log conversion transistor used as the transfer gate in a transfer gate Log conversion-type solid-state imaging device (1) or the reset gate in a reset gate Log conversion-type solid-state imaging device (1) from the off-voltage of the Log conversion transistor to the readout voltage at the inflection point which is close to the on-voltage by half or more of the variation amount of the threshold voltage in the Log conversion transistor.
(FR)Dans un dispositif d'imagerie, un procédé de commande de dispositif d'imagerie à semi-conducteur et un système d'imagerie utilisant ce dispositif d'imagerie à semi-conducteur, une unité de commande de tension (2) fixe, lorsque l'information relative au potentiel au point d'inflexion d'une caractéristique de consignations linéaires est lue, la tension de grille d'un transistor de conversion de consignations, dans des pixels occultant la lumière dans un dispositif d'imagerie à semiconducteur (1). Cette tension de grille d'un transistor de conversion de consignations est utilisée comme grille de transfert dans un dispositif d'imagerie à semiconducteur (1) de type conversion de consignations à grille de transfert ou comme grille de réinitialisation dans un dispositif d'imagerie à semiconducteur (1) de type conversion de consignations à grille de réinitialisation d'une tension OFF du transistor de conversion de consignations à une tension de lecture au point d'inflexion qui s'approche de la tension ON par au moins la moitié de la quantité de variation de la tension seuil dans le transistor de conversion de consignations.
(JA) 本発明にかかる固体撮像素子およびその駆動方法ならびにそれを用いた撮像システムでは、Linear-Log特性における変曲点での電位情報を読み出す際に、電圧制御部2によって、固体撮像素子1における遮光画素において、転送ゲートLog変換型の固体撮像素子1における転送ゲートまたはリセットゲートLog変換型の固体撮像素子1におけるリセットゲートとして用いられるLog変換トランジスタのゲート電圧が、該Log変換トランジスタのオフ電圧から、該Log変換トランジスタの閾値電圧のばらつき量の1/2以上、オン電圧に近い変曲点読出し電圧に設定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)