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1. (WO2009131153) 固体撮像装置およびX線検査システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/131153    国際出願番号:    PCT/JP2009/058006
国際公開日: 29.10.2009 国際出願日: 22.04.2009
IPC:
H04N 5/335 (2006.01), A61B 6/00 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka, 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORI, Harumichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KYUSHIMA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJITA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORI, Harumichi; (JP).
KYUSHIMA, Ryuji; (JP).
FUJITA, Kazuki; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2008-114214 24.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP APPARATUS AND X-RAY INSPECTION SYSTEM
(FR) APPAREIL DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME D'INSPECTION PAR RAYONS X
(JA) 固体撮像装置およびX線検査システム
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solid-state image pickup apparatus (1A) comprising a photodetection unit (10A) and a signal reading unit (20) etc. In the photodetection unit (10A), M × N pixel units (P1,1) to (PM,N) are arranged in M rows and N columns. When in a first image pickup mode, the voltage value, dependent on the amount of charge generated by the respective photodiodes of the M × N pixel units in the photodetection unit (10A), is output from the signal reading unit (20). When in a second image pickup mode, the voltage value, dependent on the amount of charge generated by the photodiodes of the pixel units included in a continuous row (M1) in the photodetection unit (10A), is output from the signal reading unit (20). When in the second image pickup mode, compared with the first image pickup mode, the reading pixel pitch in the frame data is smaller, the frame rate is higher, and the gain, which is the ratio of the output voltage value with respect to the input charge amount in the signal reading unit (20), is larger.
(FR)L'invention porte sur un appareil de capture d'image à semi-conducteur (1A) qui comprend une unité de photodétection (10A) et une unité de lecture de signal (20), etc. Dans l'unité de photodétection (10A), M × N unités de pixel (P1,1) à (PM,N) sont agencées en M rangées et N colonnes. Dans un premier mode de capture d'image, la valeur de tension, qui dépend de la quantité de charges générée par les photodiodes respectives des M × N unités de pixel dans l'unité de photodétection (10A), est délivrée par l'unité de lecture de signal (20). Dans un second mode de capture d'image, la valeur de tension, qui dépend de la quantité de charges générée par les photodiodes des unités de pixel incluses dans une rangée continue (M1) de l'unité de photodétection (10A), est délivrée par l'unité de lecture de signal (20). Dans le second mode de capture d'image, par comparaison au premier mode de capture d'image, le pas des pixels de lecture dans les données d'image est plus petit, la fréquence d'image est plus élevée, et le gain, qui est le rapport de la valeur de tension de sortie par rapport à la quantité de charges d'entrée dans l'unité de lecture de signal (20), est plus grand.
(JA) 固体撮像装置1Aは、受光部10A及び信号読出部20等を備える。受光部10AではM×N個の画素部P1,1~PM,NがM行N列に配列されている。第1撮像モードのとき、受光部10AにおけるM×N個の画素部それぞれのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部20から出力される。第2撮像モードのとき、受光部10Aにおける連続するM行に含まれる各画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部20から出力される。第1撮像モードのときと比べて第2撮像モードのときに、フレームデータにおける読出し画素ピッチが小さく、フレームレートが速く、信号読出部20における入力電荷量に対する出力電圧値の比であるゲインが大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)