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1. (WO2009131051) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/131051    国際出願番号:    PCT/JP2009/057637
国際公開日: 29.10.2009 国際出願日: 16.04.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 1753 Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MANABE, Kenzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MANABE, Kenzo; (JP)
代理人: YAMASHITA, Johei; YAMASHITA & ASSOCIATES, Landic Toranomon Bldg., 7-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2008-110124 21.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device by which characteristics of a Schottky barrier field effect transistor can be greatly improved. The semiconductor device is provided with a gate electrode formed on a channel formed on a semiconductor substrate with a gate insulating film in between; and a Schottky source/drain which is formed within an upper surface of the semiconductor substrate so as to sandwich the gate insulating film, has an end section not over the gate insulating film lower end section, and forms Schottky junction with the semiconductor substrate. The Schottky barrier height on the interface between the end section of the Schottky source/drain and the semiconductor substrate and the Schottky barrier height on the interface between the sections of the Schottky source/drain other than the end section and the semiconductor substrate are different from each other.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur par lequel des caractéristiques d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky peuvent être fortement améliorées. Le dispositif à semi-conducteur inclut une électrode de grille formée sur un canal formé sur un substrat semi-conducteur, avec un film isolant de grille entre les deux; et une source/un drain de Schottky qui est formé(e) à l'intérieur d'une surface supérieure du substrat semi-conducteur de façon à prendre en sandwich le film isolant de grille, présente une section d'extrémité qui n'est pas au-dessus de la section d'extrémité inférieure du film isolant de grille, et forme une jonction de Schottky avec le substrat semi-conducteur. La hauteur de la barrière de Schottky sur l'interface entre la section d'extrémité de la source/du drain de Schottky et le substrat semi-conducteur et la hauteur de la barrière de Schottky sur l'interface entre les sections de la source/du drain de Schottky autre que la section d'extrémité et le substrat semi-conducteur, sont différentes l'une de l'autre.
(JA)【課題】ショットキー・バリア型電界効果トランジスタの特性を大幅に向上させることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体基板上に形成されたチャネル上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、半導体基板の上面内にゲート絶縁膜をはさむように形成され、端部がゲート絶縁膜下端部にかからないように形成され、半導体基板とショットキー接合を形成するショットキーソース・ドレインとを備える半導体装置において、ショットキーソース・ドレインの端部と半導体基板との界面におけるショットキーバリアハイトと、ショットキーソース・ドレインの端部以外の部分と半導体基板との界面におけるショットキーバリアハイトとは異なる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)