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1. (WO2009130987) 酸化亜鉛単結晶基板の製造方法及びその方法により育成された単結晶基板並びにその基板上に成膜した半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/130987    国際出願番号:    PCT/JP2009/056980
国際公開日: 29.10.2009 国際出願日: 03.04.2009
IPC:
C30B 29/16 (2006.01), C01G 9/02 (2006.01), C30B 7/10 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01)
出願人: UMK TECHNOLOGIES CO., LTD. [JP/JP]; 66, Aza-Butai, Furukawa-Sawada, Osaki-shi Miyagi 9896232 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIDA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAGAMI, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORI, Nobuyuki; (JP).
USHIDA, Takashi; (JP).
SHIMIZU, Nobuhiro; (JP).
SAKAGAMI, Noboru; (JP)
代理人: IRIMAJIRI, Takao; 601, Rune Gyoen Plaza, 24, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2008-116476 26.04.2008 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF ZINC OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE GROWN BY THE PROCESS, AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING THE SUBSTRATE AND FILM FORMED THEREON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN D’OXYDE DE ZINC, SUBSTRAT MONOCRISTALLIN FORMÉ PAR LE PROCÉDÉ, ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT LE SUBSTRAT AINSI QU’UN FILM FORMÉ SUR CELUI-CI
(JA) 酸化亜鉛単結晶基板の製造方法及びその方法により育成された単結晶基板並びにその基板上に成膜した半導体発光素子
要約: front page image
(EN)In a hydrothermal synthesis process of growing a zinc oxide single crystal on a zinc oxide seed crystal under supercritical conditions by using an aqueous KOH solution as the solvent, the stoichiometric composition is attained by cutting a zinc oxide seed crystal in the direction perpendicular to the c-axis; using the c-face as single crystal growth face; using, as the mineralizer, only KOH which has an effect of growing a single crystal in the direction of c-axis; adjusting the temperature difference (ΔT) between dissolution zone (into which zinc oxide is fed) and single crystal zone to 3 to 7° to suppress the mineralizing action of KOH; adding hydrogen peroxide as an oxidizer for attaining the stoichiometric composition; cooling the inside of a single crystal growth vessel prior to the addition to inhibit the decomposition of hydrogen peroxide and thus control the oxygen partial pressure; and using, as the starting zinc oxide, zinc oxide particles which are precipitated by hydrothermal synthesis in an aqueous alkaline solution containing an oxidizer.
(FR)Dans un procédé de synthèse hydrothermale destiné à la croissance d’un monocristal d’oxyde de zinc sur un germe cristallin d’oxyde de zinc sous des conditions supercritiques où une solution aqueuse de KOH est utilisée comme solvant, la composition stœchiométrique est obtenue par les étapes consistant à : couper un germe monocristallin d’oxyde de zinc dans le sens perpendiculaire à l’axe C; utiliser la face C en tant que face de croissance de monocristal; utiliser en tant que minéralisateur uniquement du KOH qui a l’effet de faire croître un monocristal dans le sens de l’axe C; régler la différence de température (ΔT) entre la zone de dissolution (dans laquelle est effectuée l’alimentation en oxyde de zinc) et la zone monocristalline, de 3 à 7° afin de supprimer l’action de minéralisation du KOH; ajouter du peroxyde d’hydrogène comme oxydant pour obtenir la composition stœchiométrique; refroidir l’intérieur d’un récipient de croissance de monocristaux avant l’adjonction pour inhiber la décomposition du peroxyde d’hydrogène et contrôler ainsi la pression partielle de l’oxygène; et utiliser, comme oxyde de zinc de départ, des particules d’oxyde de zinc qui sont précipitées par synthèse hydrothermale dans une solution alcaline aqueuse contenant un oxydant.
(JA)KOH水溶液を溶媒とする超臨界条件下で酸化亜鉛種結晶に酸化亜鉛単結晶を育成する水熱合成において、酸化亜鉛種結晶をc軸に垂直な方向で切り出してc面を単結晶育成面とし、鉱化剤としてc軸方向の単結晶育成作用を有するKOHのみとすると共に、酸化亜鉛を供給する溶解領域と単結晶領域との温度差ΔTを3~7℃の範囲とすることによりKOHの鉱化剤としての作用を抑制し、ストイキオメトリー組成を達成する酸化剤として過酸化水素を添加すると共に添加時に予め単結晶育成容器内を冷却することによりその分解を抑止して酸素分圧を制御し、さらに出発材料である酸化亜鉛を酸化剤を添加したアルカリ水溶液中の水熱合成法により析出せしめた粒状の形態として、ストイキオメトリー組成を達成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)