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1. (WO2009130844) 標準セルのレイアウト構造、標準セルライブラリ、及び半導体集積回路のレイアウト構造
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/130844    国際出願番号:    PCT/JP2009/001188
国際公開日: 29.10.2009 国際出願日: 17.03.2009
IPC:
H01L 21/82 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAMOTO, Nana; (米国のみ).
TAMARU, Masaki; (米国のみ).
NISHIMURA, Hidetoshi; (米国のみ)
発明者: OKAMOTO, Nana; .
TAMARU, Masaki; .
NISHIMURA, Hidetoshi;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
優先権情報:
2008-115188 25.04.2008 JP
発明の名称: (EN) LAYOUT STRUCTURE OF STANDARD CELL, STANDARD CELL LIBRARY, AND LAYOUT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) STRUCTURE DE TOPOLOGIE DE CELLULE STANDARD, BIBLIOTHÈQUE DE CELLULE STANDARD ET STRUCTURE DE TOPOLOGIE DE CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 標準セルのレイアウト構造、標準セルライブラリ、及び半導体集積回路のレイアウト構造
要約: front page image
(EN)The layout structure of a standard cell which are provided with off transistors (126, 127) which are not necessary in terms of logic operation of a circuit. In impurity diffused areas (103, 106) of the respective off transistors (126, 127), dummy via contacts (116, 117) are arranged. To the respective dummy via contacts (116, 117), dummy metal wirings (122, 123) are connected. Consequently, coarse density of via contacts being one of the main causes of deterioration in the fabrication yield of the semiconductor integrated circuit is saved to improve defective fabrication of the via contacts.
(FR)La présente invention a trait à la structure de topologie d’une cellule standard qui est dotée de transistors à l’état bloqué (126, 127) qui ne sont pas nécessaires en termes de fonctionnement logique d’un circuit. Des contacts de trou d’interconnexion fictifs (116, 117) sont disposés dans les zones de diffusion d’impuretés (103, 106) des transistors à l’état bloqué (126, 127) respectifs. Des câblages métalliques fictifs (122, 123) sont connectés aux contacts de trou d’interconnexion fictifs (116, 117) respectifs. Par conséquent, la densité approximative des contacts de trou d’interconnexion étant l’une des principales causes de détérioration du rendement de la fabrication du circuit intégré semi-conducteur, il est possible d’améliorer la fabrication défectueuse des contacts de trou d’interconnexion.
(JA) 回路の論理動作上は不必要であるオフトランジスタ126、127を備えた標準セルのレイアウト構造において、前記各オフトランジスタ126、127の不純物拡散領域103、106にダミービアコンタクト116、117が配置される。前記各ダミービアコンタクト116、117には、ダミーメタル配線122、123が接続される。従って、半導体集積回路の製造歩留まりの低下要因の1つであるビアコンタクトの粗密が軽減されて、ビアコンタクトの製造不良が改善される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)