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1. (WO2009128542) 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128542    国際出願番号:    PCT/JP2009/057791
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 17.04.2009
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo, 6518585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAKAMI, Nobuyuki; (米国のみ).
OCHI, Mototaka; (米国のみ).
MIKI, Aya; (米国のみ).
MORITA, Shinya; (米国のみ).
YOKOTA, Yoshihiro; (米国のみ).
FUKUMA, Shinya; (米国のみ).
GOTO, Hiroshi; (米国のみ)
発明者: KAWAKAMI, Nobuyuki; .
OCHI, Mototaka; .
MIKI, Aya; .
MORITA, Shinya; .
YOKOTA, Yoshihiro; .
FUKUMA, Shinya; .
GOTO, Hiroshi;
代理人: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2008-109618 18.04.2008 JP
2008-253840 30.09.2008 JP
発明の名称: (EN) WIRING STRUCTURE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
要約: front page image
(EN)Provided is a direct contact technology by which a barrier metal layer between an Al alloy wiring composed of pure Al or an Al alloy and a semiconductor layer can be eliminated and the Al alloy wiring can be directly and surely connected to the semiconductor layer within a wide process margin. In a wiring structure, the semiconductor layer, and the Al alloy film composed of the pure Al or the Al alloy are provided on the substrate in this order from the substrate side. A multilayer structure of an (N, C, F) layer containing at least one type of an element selected from among a group composed of nitrogen, carbon and fluorine, and an Al-Si diffusion layer containing Al and Si is included in this order from the substrate side, between the semiconductor layer and the Al alloy film. At least the one type of the element, i.e., nitrogen or carbon or fluorine contained in the (N, C, F) layer, is bonded with Si contained in the semiconductor layer.
(FR)L'invention porte sur une technologie de contact direct par laquelle une couche de métal barrière entre un câblage en alliage d'Al composé d'aluminium pur ou d'un alliage d'aluminium et une couche semi-conductrice peut être éliminée et le câblage en alliage d'aluminium peut être connecté de façon directe et sûre à la couche semi-conductrice dans une large marge de traitement. Dans une structure de câblage, la couche semi-conductrice et le film en alliage d'aluminium composé d'Al pur ou d'alliage d'Al sont disposés sur le substrat dans cet ordre depuis le côté substrat. Une structure multicouche d'une couche (N, C, F) contenant au moins un type d'un élément choisi dans un groupe composé de l'azote, du carbone et du fluore, et d'une couche de diffusion Al-Si contenant Al et Si est incluse dans cet ordre depuis le côté substrat, entre la couche semi-conductrice et le film en alliage d'Al. L'au moins un type d'élément, à savoir l'azote ou le carbone ou le fluore contenu dans la couche (N, C, F), est lié à Si contenu dans la couche semi-conductrice.
(JA) 純AlまたはAl合金のAl系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてAl系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純AlまたはAl合金のAl系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Al系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F)層と、AlおよびSiを含むAl-Si拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記(N、C、F)層に含まれる窒素、炭素、およびフッ素の少なくとも一種の元素は、前記半導体層に含まれるSiと結合している配線構造に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)