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1. (WO2009128495) スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128495    国際出願番号:    PCT/JP2009/057642
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 16.04.2009
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), C04B 35/628 (2006.01)
出願人: HIRAAKI CO., LTD. [JP/JP]; 555-4, Oaza Kamiokuma, Kasuya-machi, Kasuya-gun, Fukuoka, 8112301 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAKI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRAAKI, Taisei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKASHIMA, Kunihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAKI, Takeshi; (JP).
HIRAAKI, Taisei; (JP).
NAKASHIMA, Kunihiko; (JP)
代理人: YOSHIMURA, Katsuhiro; c/o Yoshimura, International Patent Office, Omiya F Bldg., 5-4, Sakuragicho 2-chome, Omiya-ku, Saitama-shi, Saitama, 3300854 (JP)
優先権情報:
2008-106489 16.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)Disclosed is a sputtering target having a flat and smooth surface having a uniform composition, which is obtained by using, as a raw material, a conductive inorganic oxide powder having finer particle size and better powder resistance than conventional conductive inorganic oxide powders. The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt% in terms of oxides. The conductive inorganic oxide powder is obtained by electrolytic doping wherein a slurry containing an inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 1-30 nm, which is blended with one or more components selected from aluminum, gallium and indium, is subjected to electrolysis.
(FR)L'invention porte sur une cible de pulvérisation cathodique comportant une surface plate et lisse de composition uniforme, qui est obtenue en utilisant, à titre de matière première, une poudre d'oxyde minéral conductrice ayant des particules de taille plus fine et une meilleure résistance de poudre que les poudres d'oxyde minéral conductrices classiques. La cible de pulvérisation cathodique est obtenue par moulage et frittage d'une poudre d'oxyde minéral conductrice ayant un diamètre de particule primaire moyen de 3 à 40 nm, à laquelle est communiquée une conductivité par dopage avec un ou plusieurs composants sélectionnés parmi l'aluminium, le gallium et l'indium, sous une teneur de 0,1 à 20,0 % en poids vis-à-vis des oxydes. La poudre d'oxyde minéral conductrice est obtenue par dopage électrolytique, dans lequel un coulis contenant une poudre d'oxyde minéral ayant un diamètre de particule primaire moyen de 1 à 30 nm, qui est mélangée avec un ou plusieurs composants sélectionnés parmi l'aluminium, le gallium et l'indium, est soumis à une électrolyse.
(JA) 従来の導電性無機酸化物粉と比べ、より微粒で且つ良好な粉体抵抗を備える導電性無機酸化物粉を原料として用い、組成が均一で平滑な表面を備えるスパッタリングターゲットの提供を目的とする。この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される1種又は2種以上の成分を酸化物換算で0.1wt%~20.0wt%ドーピングして導電性を付与した、平均1次粒子径が3nm~40nmの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。この導電性無機酸化物粉は、平均1次粒子径が1nm~30nmの無機酸化物粉含有スラリーにアルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される1種又は2種以上の成分を含有させた状態で電解する電解ドーピング法で製造する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)