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1. (WO2009128434) AlN結晶の成長方法およびAlN積層体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128434    国際出願番号:    PCT/JP2009/057472
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 14.04.2009
IPC:
C30B 29/38 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANIZAKI, Keisuke; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP)
代理人: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3 Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka, 5540024 (JP)
優先権情報:
2008-108161 17.04.2008 JP
2009-082422 30.03.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF GROWING ALN CRYSTALS, AND ALN LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE ALN ET STRATIFIÉ DE ALN
(JA) AlN結晶の成長方法およびAlN積層体
要約: front page image
(EN)Provided are a method of growing AlN crystals in which AlN of good crystallinity is grown, and AlN laminates. The method of growing AlN crystals includes the following processes. Firstly a raw material (17) including AlN is prepared. A substrate (11) of a different type having a main surface (11a) is prepared. A first layer (12) having a flat surface (12a) is formed by subliming the raw material (17) and growing an AlN crystal covering the main surface (11a) of the substrate (11) of a different type. The raw material (17) is sublimed and a second layer (13) comprising AlN is formed on the surface (12a) of the first layer (12). The second layer (13) is formed at a higher temperature than the first layer (12).
(FR)L’invention concerne un procédé de croissance de cristaux de AlN dans lesquels le AlN présentant une bonne cristallinité est mis à croître, et des stratifiés de AlN. Le procédé de croissance de cristaux de AlN comprend les processus suivants. Tout d’abord, une matière première (17) comprenant du AlN est préparée. Un substrat (11) d’un type différent présentant une surface principale (11a) est préparé. Une première couche (12) présentant une surface plate (12a) est formée par sublimation de la matière première (17) et croissance d’un cristal de AlN recouvrant la surface principale (11a) du substrat (11) d’un type différent. La matière première (17) est sublimée et une seconde couche (13) comprenant du AlN est formée sur la surface (12a) de la première couche (12). La seconde couche (13) est formée à une température supérieure à la première couche (12).
(JA)結晶性の良好なAlNを成長させるAlN結晶の成長方法およびAlN積層体を提供する。 AlN結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、AlNを含む原料17が準備される。主表面11aを有する異種基板11が準備される。原料17を昇華させて、異種基板11の主表面11aを覆うように、AlN結晶を成長させることにより、表面12aが平坦な第1の層12が形成される。原料17を昇華させて、第1の層12の表面12a上に、AlNよりなる第2の層13が形成される。第2の層13は、第1の層12よりも高い温度で形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)