WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009128392) 半導体装置の製造方法および半導体基板の洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128392    国際出願番号:    PCT/JP2009/057316
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 10.04.2009
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi, 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
STELLA CHEMIFA CORPORATION [JP/JP]; NM Plaza Midosuji, 6-3, Awajimachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410047 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEBE, Rui [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYASHITA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHMI, Tadahiro; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
HASEBE, Rui; (JP).
MIYASHITA, Masayuki; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000011 (JP)
優先権情報:
2008-108182 17.04.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D’UN SUBSTRAT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体基板の洗浄方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for cleaning a semiconductor substrate that can solve a problem of a conventional cleaning method which should include at least five steps for cleaning a substrate such as a semiconductor substrate. The method for cleaning a semiconductor substrate comprises a first step of cleaning a substrate with ultrapure water containing ozone, a second step of cleaning the substrate with ultrapure water containing a surfactant, and a third step of removing an organic matter derived from the surfactant, with a cleaning liquid containing ultrapure water and 2-propanol. After the third step, plasma of noble gas such as krypton is applied to the substrate to further remove the organic matter derived from the surfactant.
(FR)L’invention concerne un procédé de nettoyage d’un substrat à semi-conducteurs qui peut résoudre un problème d’un procédé de nettoyage classique qui doit comprendre au moins cinq étapes pour nettoyer un substrat tel qu’un substrat à semi-conducteurs. Le procédé de nettoyage d’un substrat à semi-conducteurs comprend une première étape qui consiste à nettoyer un substrat avec de l’eau ultra-pure qui contient de l’ozone, une deuxième étape qui consiste à nettoyer le substrat avec de l’eau ultra-pure qui contient un tensioactif, et une troisième étape qui consiste à éliminer une matière organique dérivée du tensioactif, avec un liquide nettoyant qui contient de l’eau ultra-pure et du 2-propanol. Après la troisième étape, un plasma de gaz noble, comme du krypton, est appliqué au substrat afin d’éliminer à nouveau la matière organique dérivée du tensioactif.
(JA) 半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも5工程からなる洗浄を行う必要があった。  オゾンを含有する超純水によって洗浄する第1工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第2工程、及び、超純水と2-プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第3工程とを含む洗浄方法が得られる。第3工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)