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1. (WO2009128337) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128337    国際出願番号:    PCT/JP2009/056331
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 27.03.2009
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEUCHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEUCHI, Kiyoshi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2008-107011 16.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A first local wiring cable has a convex portion protruding from a base and a protrusion protruding from a side surface of the convex portion. The convex portion of the first local wiring cable is connected to a lower conductive region of a first transistor while the protrusion is connected to a gate electrode of a second transistor. Moreover, the lower surface of the protrusion of the first local wiring cable is arranged at a height not higher than the upper surface of the gate electrode of the second transistor.
(FR)Selon l'invention, un premier câble de câblage local présente une partie convexe faisant saillie d'une base et une protubérance faisant saillie d'une surface latérale de la partie convexe. La partie convexe du premier câble de câblage local est connectée à une région conductrice inférieure d'un premier transistor tandis que la protubérance est connectée à une électrode de grille d'un second transistor. En outre, la surface inférieure de la protubérance du premier câble de câblage local est agencée à une hauteur qui n’est pas supérieure à la surface supérieure de l'électrode de grille du second transistor.
(JA) 第1局所配線は、基体部から突出した凸部と、凸部の側面から突出した突出部とを備える。第1局所配線の凸部を、第1のトランジスタの下側導電領域に接続し、突出部を、第2のトランジスタのゲート電極に接続する。また、第1局所配線の突出部の下面を、第2のトランジスタのゲート電極の上面以下の高さに配置する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)