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1. (WO2009128324) 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/128324    国際出願番号:    PCT/JP2009/055678
国際公開日: 22.10.2009 国際出願日: 23.03.2009
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIMURA, Kunihiko [--/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNO, Shigeru [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIMURA, Kunihiko; (JP).
MATSUNO, Shigeru; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6020 (JP)
優先権情報:
2008-108272 17.04.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR ROUGHENING SUBSTRATE SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RUGOSIFICATION DE LA SURFACE D’UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for roughening a surface of a substrate, by which a substrate surface can be roughened finely and uniformly while maintaining qualities of the substrate. The method includes a first step of forming a protection film on the surface of the substrate; a second step of forming an opening on the protection film by performing blast processing to the protection film; a third step of etching the substrate surface whereupon the protection film is formed under conditions where the protection film has resistance characteristics, by using, as a mask, the protection film whereupon the opening is formed; and a fourth step of removing the protection film.
(FR)L’invention concerne un procédé de rugosification d’une surface de substrat, grâce auquel la surface d’un substrat peut être dégrossie de manière précise et uniforme tout en maintenant les qualités du substrat. Le procédé comprend une première étape qui consiste à former un film protecteur sur la surface du substrat ; une seconde étape qui consiste à former une ouverture sur le film protecteur en effectuant une projection de particules sur le film protecteur ; une troisième étape qui consiste à graver la surface du substrat sur laquelle est formé le film protecteur, dans des conditions dans lesquelles le film protecteur possède des caractéristiques de résistance, en utilisant, en guise de masque, le film protecteur sur lequel l’ouverture est formée ; et une quatrième étape qui consiste à retirer le film protecteur.
(JA) 基板の品質を保持しながら基板表面の微細な粗面化を均一に行うことが可能な基板の粗面化方法であって、基板の表面に保護膜を形成する第1の工程と、上記保護膜に対してブラスト加工処理を施して前記保護膜に開口を形成する第2の工程と、上記開口が形成された前記保護膜をマスクとして、前記基板における前記保護膜が形成された面に対して、前記保護膜が耐性を有する条件でエッチングを施す第3の工程と、上記保護膜を除去する第4の工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)