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1. (WO2009125688) 光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/125688    国際出願番号:    PCT/JP2009/056523
国際公開日: 15.10.2009 国際出願日: 30.03.2009
IPC:
H01L 31/107 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAZAKI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUSHIMA, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NIKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKURAI, Keiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIZUKA, Shogo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAZAKI, Kenichi; (JP).
MATSUSHIMA, Osamu; (JP).
NIKI, Shigeru; (JP).
SAKURAI, Keiichiro; (JP).
ISHIZUKA, Shogo; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2008-104052 11.04.2008 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置
要約: front page image
(EN)Provided is photoelectric conversion device which has a high S/N ratio and can increase the detection efficiency even under a low luminance. The photoelectric conversion device generates an increased electric charge by collision ionization in a photoelectric conversion unit formed from a chalcopyrite-type semiconductor, so as to improve dark current characteristic. It is also possible to provide a method for manufacturing the photoelectric conversion device and a solid state imaging device using the photoelectric conversion device. The photoelectric conversion device includes: a lower electrode layer (25); a compound semiconductor thin film (24) of a chalcopyrite structure arranged on the lower electrode layer (25) and having a high-resistance layer (242) on the surface thereof; and a transparent electrode layer (26) arranged on the compound semiconductor thin film (24). The lower electrode layer (25), the compound semiconductor thin film (24), and the transparent electrode layer (26) are successively layered. An inverse bias voltage is applied between the transparent electrode layer (26) and the lower electrode layer (25) so that the collision ionization increases the electric charge generated by the photoelectric conversion in the compound semiconductor thin film (24).
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique qui a un rapport signal sur bruit élevé et qui peut augmenter l'efficacité de détection même sous une faible luminance. Le dispositif de conversion photoélectrique génère une charge électrique accrue par ionisation par collision dans une unité de conversion photoélectrique formée à partir d'un semi-conducteur de type chalcopyrite, afin d'améliorer une caractéristique de courant d'obscurité. Il est également possible de décrire un procédé pour fabriquer le dispositif de conversion photoélectrique et un dispositif d'imagerie à semi-conducteur utilisant le dispositif de conversion photoélectrique. Le dispositif de conversion photoélectrique comprend : une couche d'électrode inférieure (25) ; une couche mince de composé semi-conducteur (24) d'une structure de chalcopyrite agencée sur la couche d'électrode inférieure (25) avec une couche à résistance élevée (242) sur la surface de celle-ci, et une couche d'électrode transparente (26) agencée sur la couche mince de composé semi-conducteur (24). La couche d'électrode inférieure (25), la couche mince de composé semi-conducteur (24) et la couche d'électrode transparente (26) sont disposées en couches de manière successive. Une tension de polarisation inverse est appliquée entre la couche d'électrode transparente (26) et la couche d'électrode inférieure (25) de telle sorte qu'une ionisation par collision accroît la charge électrique générée par la conversion photoélectrique dans la couche mince de composé semi-conducteur (24).
(JA) カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、S/N比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。  下部電極層25と、下部電極層25上に配置され、表面に高抵抗層242を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜24と、化合物半導体薄膜24上に配置された透明電極層26とを備え、下部電極層25、化合物半導体薄膜24および透明電極層26は、順次積層されると共に、透明電極層26と下部電極層25間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜24内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)