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1. (WO2009125534) 単結晶引き上げ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/125534    国際出願番号:    PCT/JP2009/000622
国際公開日: 15.10.2009 国際出願日: 17.02.2009
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAZAWA, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKANO, Kiyotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMURA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAZAWA, Masanori; (JP).
TAKANO, Kiyotaka; (JP).
KIMURA, Akihiro; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2008-099197 07.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TIRAGE D'UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶引き上げ装置
要約: front page image
(EN)Provided is a single crystal pulling apparatus having at least a main chamber for storing a crucible, and a pull chamber, which is connected to an upper section of the main chamber and has a grown single crystal pulled and stored therein. At least a ring-shaped gas supply pipe is horizontally arranged in an upper section in the pull chamber, and a plurality of gas outlets are arranged at equal intervals on the gas supply pipe. The gas outlets are formed between a drooping position and an outer horizontal position of the gas supply pipe, and a gas is permitted to be directly applied to an inner wall of the pull chamber from the gas outlets. Thus, wire swing is eliminated, and an inert gas can be supplied so as to reduce silicon oxide which deposits on the inner wall of the pull chamber.
(FR)L'invention porte sur un appareil de tirage d'un monocristal présentant au moins une chambre principale pour stocker un creuset et une chambre de tirage, qui est reliée à une section supérieure de la chambre principale et qui présente un monocristal qui a poussé, tiré et stocké dans celle-ci. Au moins un tuyau d'introduction de gaz en forme d'anneau est disposé horizontalement dans une section supérieure dans la chambre de tirage, et une pluralité de sorties de gaz sont disposées à des intervalles égaux sur le tuyau d'introduction de gaz. Les sorties de gaz sont formées entre une position tombante et une position horizontale externe du tuyau d'introduction de gaz et on laisse un gaz être directement appliqué à une paroi interne de la chambre de tirage à partir des sorties de gaz. Ainsi, le balancement de fil est éliminé et un gaz inerte peut être introduit de façon à réduire l'oxyde de silicium qui se dépose sur la paroi interne de la chambre de tirage.
(JA) 本発明は、少なくとも、ルツボを収納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの上部に連接され、成長した単結晶が引き上げられて収容されるプルチャンバーとを有する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、前記プルチャンバー内の上方にリング状のガス供給パイプが水平配置され、該ガス供給パイプには複数のガス吹き出し孔が均等間隔で設けられており、該ガス吹き出し孔は、前記ガス供給パイプの垂下位置から外側の水平位置の間に形成されており、前記ガス吹き出し孔から前記プルチャンバー内壁にガスが直接あたるように吹き出されるものであることを特徴とする単結晶引上げ装置である。これにより、ワイヤー振れの発生を防止し、プルチャンバー内壁に堆積するシリコン酸化物を減少させるように不活性ガスを供給することができる単結晶引き上げ装置が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)