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1. (WO2009125529) マスクパターンの生成方法及びパターン形成方法

Pub. No.:    WO/2009/125529    International Application No.:    PCT/JP2009/000328
Publication Date: 2009/10/15 International Filing Date: 2009/01/28
IPC: H01L 21/027
Applicants: PANASONIC CORPORATION
パナソニック株式会社
MATSUDA, Takashi
松田孝司
Inventors: MATSUDA, Takashi
松田孝司
Title: マスクパターンの生成方法及びパターン形成方法
Abstract:
 マスクパターンの生成方法は、Y軸を長軸方向とする長方形からなる第1のパターンを第1のレイヤに発生させる工程(a)と、X軸を長軸方向とする長方形からなる第2のパターンを第2のレイヤに発生させる工程(b)と、第1のパターンと第2のパターンを合成させた合成パターンを形成する工程(c)と、合成パターンから第1のパターンと第2のパターンとが重なる重なり部を抽出し、第1のパターン及び第2のパターンの長辺の少なくとも一方の長さを短くする工程(d)と、第1のレイヤと第2のレイヤを用いて形成されるホールの寸法を計算する工程(e)とを備えている。工程(e)の後、第1のパターン及び第2のパターンの長辺の少なくとも一方の長さを修正する工程(f)を行う。