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1. (WO2009125459) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/125459    国際出願番号:    PCT/JP2008/003973
国際公開日: 15.10.2009 国際出願日: 25.12.2008
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka, 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAZAWA, Makoto; (米国のみ).
KIMURA, Tomohiro; (米国のみ)
発明者: NAKAZAWA, Makoto; .
KIMURA, Tomohiro;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
優先権情報:
2008-100650 08.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprises an insulating substrate, a step layer provided on the insulating substrate and including end portions with an inclination angle of 60° or more, an insulating layer formed on the insulating substrate and the step layer and provided so as to be elevated on the step layer, a first semiconductor layer provided in a portion adjacent to the elevated insulating layer, and a second semiconductor layer made of the same material as the first semiconductor layer and formed in an island shape on the elevated insulating layer.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat isolant ; une couche de gradin disposée sur le substrat isolant et comprenant des parties d'extrémité à un angle d'inclinaison de 60° ou plus ; une couche isolante formée sur le substrat isolant et sur la couche de gradin, et disposée de façon à être élevée sur la couche de gradin ; une première couche semi-conductrice disposée dans une partie adjacente de la couche isolante élevée ; et une seconde couche semi-conductrice faite du même matériau que la première couche semi-conductrice et formée en forme d'îlot sur la couche isolante élevée.
(JA) 半導体装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けられた傾斜角が60°以上の端部を備えた段差層と、絶縁性基板及び段差層上に形成されると共に、段差層上では盛り上がるように設けられた絶縁層と、盛り上がる絶縁層の隣接部に設けられた第1半導体層と、第1半導体層と同一の材料で構成され、盛り上がる絶縁層上においてアイランド状に形成された第2半導体層と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)