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1. (WO2009123335) MOS型半導体メモリ装置の製造方法およびプラズマCVD装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/123335    国際出願番号:    PCT/JP2009/057019
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 30.03.2009
予備審査請求日:    01.02.2010    
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi, 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ENDOH, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOHNO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTAO, Syuichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Minoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ENDOH, Tetsuo; (JP).
KOHNO, Masayuki; (JP).
OTAO, Syuichiro; (JP).
HONDA, Minoru; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2008-092421 31.03.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A MOS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND PLASMA CVD DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR MOS, ET DISPOSITIF DE CVD ASSISTÉ PAR PLASMA
(JA) MOS型半導体メモリ装置の製造方法およびプラズマCVD装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a MOS semiconductor memory device having an insulating film laminate wherein adjacent insulating films have band-gaps of differing sizes. In the method, a plasma processing device (100), which guides microwaves to a chamber (1) by means of a flat antenna (31) having a plurality of holes, is used to perform plasma CVD under pressure conditions that differ from at least the pressure conditions used when forming the adjacent insulating films, and the insulating films are sequentially formed by altering the band-gaps of the adjacent insulating films that constitute the insulating film laminate.
(FR)Cette invention se rapporte un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur MOS qui présente un stratifié à films isolants, les films isolants adjacents présentant des bandes interdites de tailles différentes. Dans le procédé, un dispositif de traitement par plasma (100), qui guide des micro-ondes vers une chambre (1) à l'aide d'une antenne plate (31) qui présente une pluralité de trous, est utilisé de manière à exécuter un CVD assisté par plasma, sous des conditions de pression qui diffèrent au moins des conditions de pression utilisées lors de la formation des films isolants adjacents, et les films isolants sont formés de manière séquentielle en modifiant les bandes interdites des films isolants adjacents qui constituent le stratifié à films isolants.
(JA)隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさが異なる絶縁膜積層体を有するMOS型半導体メモリ装置を製造するために、複数の孔を有する平面アンテナ31によりチャンバー1にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置100を用い、少なくとも隣接する絶縁膜を形成する際の圧力条件とは異なる圧力条件でプラズマCVDを行い、絶縁膜積層体を構成する隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさを変えて順次成膜する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)