WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009123261) SOI基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/123261    国際出願番号:    PCT/JP2009/056805
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 01.04.2009
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITO, Atsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOBISAKA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKIYAMA, Shoji; (JP).
KAWAI, Makoto; (JP).
ITO, Atsuo; (JP).
KUBOTA, Yoshihiro; (JP).
TANAKA, Kouichi; (JP).
TOBISAKA, Yuji; (JP).
TAMURA, Hiroshi; (JP)
代理人: OKUYAMA, Shoichi; 8th Floor, Akasaka NOA Bldg., 2-12, Akasaka 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2008-094538 01.04.2008 JP
2008-094594 01.04.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SOI SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SILICIUM SUR ISOLANT
(JA) SOI基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method of easily producing a SOI substrate that is a transparent insulating substrate on one of the major surfaces of which a silicon thin film is formed while the major surface opposite to the surface on which the silicon thin film is formed is roughened. The method produces a SOI substrate that includes at least the transparent insulating substrate, and the silicon thin film formed on a first major surface which is one of the major surfaces of the transparent insulating substrate with a second major surface, the major surface opposite to the first major surface of the transparent insulating substrate, roughened. The method for producing the SOI substrate includes at least a process of preparing the transparent insulating substrate the surface roughness of the first major surface of which is less than 0.7nm in RMS while the surface roughness of the second major surface is larger in RMS than the surface roughness of the first major surface, and a process of forming the silicon thin film on the first major surface of the transparent insulating substrate.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de manière facile d'un substrat silicium sur isolant (SOI) qui est un substrat isolant transparent sur l'une des surfaces majeures duquel un film mince de silicium est formé tandis que la surface majeure opposée à la surface sur laquelle le film mince de silicium est formé est rendue rugueuse. Le procédé fabrique un substrat SOI qui comprend au moins le substrat isolant transparent, et le film mince de silicium formé sur une première surface majeure qui est l'une des surfaces majeures du substrat isolant transparent avec une seconde surface majeure, la seconde surface majeure opposée à la première surface majeure du substrat isolant transparent, rendue rugueuse. Le procédé de fabrication du substrat SOI comprend au moins un procédé de préparation du substrat isolant transparent, dont la rugosité de surface de la première surface majeure est inférieure à 0,7 nm en RMS tandis que la rugosité de surface de la seconde surface majeure est supérieure en RMS à la rugosité de surface de la première surface majeure, et un procédé de formation du film mince de silicium sur la première surface majeure du substrat isolant transparent.
(JA) 本発明は、一方の主表面上にシリコン薄膜が形成された透明絶縁性基板であり、該シリコン薄膜が形成された側とは反対側の主表面が荒れたSOI基板を簡便に製造する方法を提供する。  透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板の一方の主表面である第一主表面上に形成されたシリコン薄膜とを少なくとも含んでおり、前記透明絶縁性基板の第一主表面とは反対側の主表面である第二主表面が荒らされているSOI基板を製造する方法であって、少なくとも、前記透明絶縁性基板として、前記第一主表面の表面粗さがRMS値で0.7nm未満であり、前記第二主表面の表面粗さがRMS値で前記第一主表面の表面粗さよりも大きいものを準備する工程と、該透明絶縁性基板の第一主表面上にシリコン薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)