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World Intellectual Property Organization
1. (WO2009123198) プラズマ処理装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/123198    国際出願番号:    PCT/JP2009/056679
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 31.03.2009
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMASHITA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAGAWA, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KABE, Yoshiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUDA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Hideo; (JP).
KITAGAWA, Junichi; (JP).
KABE, Yoshiro; (JP).
FUKUDA, Yoshinori; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo, 1000005 (JP)
2008-092423 31.03.2008 JP
2008-253930 30.09.2008 JP
(JA) プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)In a plasma oxidization treatment apparatus (100) that supplies high-frequency biasing power to an electrode (7) embedded in a mounting table (5), the surface exposed to the plasma on the inner periphery of a lid part (27) made of aluminum, which functions as a counter-electrode for the mounting table (5), is coated with a protective silicon film (48). An upper liner (49a) and a lower liner (49b) that is formed more thickly than the upper liner are provided on the inner surfaces of a second container (3) and a first container (2), which is adjacent to the silicon film (48), the short-circuiting of or abnormal discharges to these areas is thereby prevented, an appropriate high-frequency current flow path is formed, and power consumption efficiency is improved.
(FR)Dans un appareil de traitement d'oxydation par plasma (100) qui fournit une puissance de polarisation à haute fréquence à une électrode (7) enfouie dans une table de montage (5), la surface exposée au plasma sur la périphérie intérieure d'une partie couvercle (27) réalisée en aluminium, qui fonctionne comme une contre-électrode de la table montage (5), est revêtue d'un film protecteur de silicium (48). Un revêtement supérieur (49a) et un revêtement inférieur (49b) qui est formé plus épais que le revêtement supérieur, sont disposés sur les surfaces intérieures d'un deuxième contenant (3) et d’un premier contenant (2), qui est adjacent au film de silicium (48), la mise en court-circuit de ces zones, ou des décharges anormales, étant de ce fait empêchées, un chemin de flux de courant à haute fréquence approprié est formé, et le rendement en consommation de puissance est amélioré.
(JA) 載置台(5)に埋設された電極(7)にバイアス用の高周波電力を供給するプラズマ酸化処理装置(100)では、載置台(5)に対して対向電極として機能するアルミニウム製の蓋部(27)の内周のプラズマに曝される表面に、保護膜としてのシリコン膜(48)がコーティングされている。シリコン膜(48)に隣接して第2の容器(3)および第1の容器(2)の内面には、上部ライナー(49a)およびこれよりも肉厚に形成された下部ライナー(49b)が設けられ、これらの部位への短絡や異常放電が防止され、適正な高周波電流経路が形成され、電力消費効率が向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)