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1. (WO2009123170) フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/123170    国際出願番号:    PCT/JP2009/056608
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 31.03.2009
IPC:
G03F 1/08 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1618525 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IWASHITA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHISHIDO, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMINATO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IWASHITA, Hiroyuki; (JP).
SHISHIDO, Hiroaki; (JP).
KOMINATO, Atsushi; (JP).
HASHIMOTO, Masahiro; (JP)
代理人: KOBAYASHI, Hiroshi; ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1040028 (JP)
優先権情報:
61/041,193 31.03.2008 US
発明の名称: (EN) PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK
(FR) PLAQUE POUR PHOTOMASQUE, PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUE POUR PHOTOMASQUE
(JA) フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a photomask blank used for fabricating a photomask to which an ArF excimer laser beam is applied. The photomask blank is characterized by comprising a light shielding film on a light transmissive substrate, wherein the light shielding film has a stacked structure in which a rear surface antireflection layer, a light shielding layer, and a front surface antireflection layer are stacked in sequence from the side close to the light transmissive substrate, the thickness of the entire light shielding film is 60 nm or less, the rear surface antireflection layer consists of a film containing metal and has a first etching rate, the front surface antireflection layer consists of a film containing metal and has a third etching rate, the light shielding layer consists of a film containing the same metal as the metal contained in the rear surface antireflection layer or the front surface antireflection layer and has a second etching rate slower than the first etching rate and the third etching rage, and the thickness of the light shielding layer is 30% or less of the thickness of the entire light shielding film.
(FR)L'invention concerne une plaque pour photomasque utilisée pour fabriquer un photomasque sur lequel est appliqué un faisceau laser à excimère ArF. La plaque pour photomasque est caractérisée en ce qu'elle comprend un film écran sur un substrat de transmission de la lumière, le film écran présentant une structure empilée dans laquelle une couche antireflet de surface arrière, une couche écran et une couche antireflet de surface avant sont empilées en séquence depuis le côté proche du substrat de transmission de la lumière, l'épaisseur du film écran entier étant inférieure ou égale à 60 nm, la couche antireflet de surface arrière étant constituée d'un film contenant du métal et présentant une première vitesse d'attaque chimique, la couche antireflet de surface avant étant constituée d'un film contenant du métal et présentant une troisième vitesse d'attaque chimique, la couche écran étant constituée d'un film contenant le même métal que le métal contenu dans la couche antireflet de surface arrière ou la couche antireflet de surface avant et présentant une deuxième vitesse d'attaque chimique plus lente que la première vitesse d'attaque chimique et que la troisième vitesse d'attaque chimique, et l'épaisseur de la couche écran étant inférieure ou égale à 30% de l'épaisseur du film écran entier.
(JA) ArFエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板上に遮光膜を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が60nm以下であり、裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第1のエッチング速度を有し、表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第3のエッチング速度を有し、遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第1のエッチング速度および第3のエッチング速度よりも遅い第2のエッチング速度を有し、遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の30%以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)