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1. (WO2009123055) パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/123055    国際出願番号:    PCT/JP2009/056299
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 27.03.2009
予備審査請求日:    03.02.2010    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOIDE, Kei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOIDE, Kei; (JP)
代理人: OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F 3-1-10 Toranomon Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2008-096806 03.04.2008 JP
発明の名称: (EN) LOW PARTICULATE-GENERATING SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION GÉNÉRANT PEU DE PARTICULES
(JA) パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)Disclosed is a low particulate-generating sputtering target, wherein the target surface contains 1 to 50%, by volume ratio, of an intermetallic compound, oxide, carbide, carbonitride, or other non-ductile substance in a highly ductile matrix phase, and wherein the center-line average surface roughness Ra is 0.1 µm or less, the 10-point average roughness Rz is 0.4 µm or less, the distance between local peaks (roughness motif) AR is 120 µm or less, and the average amplitude in the wave motif AW is 1500 µm or greater. Provided are a sputtering target wherein the target surface, which contains large amounts of non-ductile substance, is improved, and whereby the generation of nodules and particles during sputtering can be prevented or suppressed, and a method of processing said surface.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation générant peu de particules, la surface de la cible contenant 1 à 50 %, en rapport volumique, d'un composé intermétallique, oxyde, carbure, carbonitrure, ou autre substance non ductile dans une phase matricielle hautement ductile, et la rugosité de surface moyenne suivant l'axe Ra étant inférieure ou égale à 0,1 µm, la rugosité moyenne en 10 points Rz étant inférieure ou égale à 0,4 µm, la distance entre des pics locaux (motif de rugosité) AR étant inférieure ou égale à 120 µm, et l'amplitude moyenne dans le motif de vague AW étant supérieure ou égale à 1 500 µm. L'invention concerne également une cible de pulvérisation dans laquelle la surface cible, qui contient de grandes quantités de substance non ductile, est améliorée, et grâce à laquelle la génération de nodules et de particules pendant la pulvérisation peut être prévenue ou supprimée, et un procédé de traitement de ladite surface.
(JA)延性に富むマトリックス相内に、金属間化合物、酸化物、炭化物、炭窒化物、その他の延性のない物質が体積比率で1~50%存在するターゲットの表面であって、中心線平均表面粗さRaが0.1μm以下、十点平均粗さRzが0.4μm以下、局部山頂間距離(粗さモチーフ)ARが120μm以下、うねりモチーフ平均長さAWが1500μm以上であることを特徴とするパーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット。延性のない物質が多く存在するターゲット表面を改善し、スパッタリングの際にノジュールやパーティクルの発生を防止又は抑制できるスパッタリングターゲット及びその表面加工方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)