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1. (WO2009122823) 薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122823    国際出願番号:    PCT/JP2009/053315
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 25.02.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1, Naeshiro-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4678561 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI, Ryoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI, Ryoya; (JP)
代理人: YAMAMOTO, Hisashi; 6th-floor, Kamimaezu KD-bldg., 10-32, Osu 4-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600011 (JP)
優先権情報:
2008-090605 31.03.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR FABRICATED BY THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET TRANSISTOR EN COUCHE MINCE FABRIQUÉ PAR LE PROCÉDÉ
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Surface mineralization films (7, 8) are formed on the upper surface and the lower surface of a substrate (2), respectively. In a first SAM coating process, density of hydroxyl group on the surfaces of the surface mineralization films (7, 8) is sufficiently increased by UV irradiation and so on, and then SAM is applied by micro-contact printing. In a next process for immersing the substrate into a first catalyst solution, a catalyst is selectively adhered to SAM (10, 11). Thereafter, in a first electroless plating process, a gate electrode (6) is formed on the upper surface of the SAM (10) and, at the same time, a barrier film (14) is formed on the lower surface of the SAM (11).
(FR)Des films à minéralisation de surface (7, 8) sont formés respectivement sur la surface supérieure et la surface inférieure d'un substrat (2). Dans un premier traitement de revêtement de monocouche auto-assemblée (SAM), une densité de groupe hydroxyle sur les surfaces des films à minéralisation de surface (7, 8) est augmentée de manière suffisante par irradiation UV et similaire, puis la SAM est appliquée par impression par micro-contact. Dans un traitement suivant pour immerger le substrat dans une première solution de catalyseur, un catalyseur est amené à adhérer de manière sélective à la SAM (10, 11). Par la suite, dans un premier traitement de plaquage anélectrolytique, une électrode de grille (6) est formée sur la surface supérieure de la SAM (10) et, simultanément, un film de barrière (14) est formé sur la surface inférieure de la SAM (11).
(JA) 基板(2)の上面および下面に、表面無機化膜(7,8)がそれぞれ形成される。次に、第一SAM塗布工程では、表面無機化膜(7,8)の表面の水酸基密度をUV照射等で十分に上げた後に、マイクロコンタクトプリント法でSAMが塗布される。次に、第一触媒液に浸たす工程では、SAM(10,11)に触媒が選択的に付着される。次に、第一無電解めっき工程では、ゲート電極(6)がSAM(10)の上面に形成されると同時に、バリア膜(14)がSAM(11)の下面に形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)