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1. (WO2009122790) 基板処理装置,基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122790    国際出願番号:    PCT/JP2009/052613
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 17.02.2009
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARASHIMA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORISAKI, Eisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Hirokatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARASHIMA, Masayuki; (JP).
MORISAKI, Eisuke; (JP).
KOBAYASHI, Hirokatsu; (JP)
代理人: OHYAMA, Hiroaki; Reo Akasaka Bldg. 5A, 2-14, Akasaka 6-chome, Minato-ku, Tokyo, 1070052 (JP)
優先権情報:
2008-089411 31.03.2008 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置,基板処理方法
要約: front page image
(EN)At the time of forming a gas flow along a substrate surface to be processed by heating a substrate holding section to a high temperature, temperature reduction in the upstream of the substrate holding section due to gas supply is suppressed, and uniformity of temperature of the substrate holding section is improved. A substrate processing apparatus is provided with a processing container (102) wherein a gas flow is formed from one end to the other end; a substrate holding section (108), which is arranged on a certain position along a gas channel for such gas flow, and holds a wafer; a substrate holding section heating section (140) which heats the wafer by heating the substrate holding section; a processing gas supply nozzle (206) arranged in the upstream of the substrate holding section; a carrier gas supply nozzle (226) arranged in the upstream of the processing gas supply nozzle; and a carrier gas heating section (240) for heating a carrier gas supplied to the gas channel, in the upstream of the processing gas supply nozzle.
(FR)Au moment de la formation d'un flux de gaz le long d'une surface d'un substrat à traiter en chauffant une section tenue de substrat à une température élevée, la réduction de température en amont de la section tenue de substrat due à la fourniture de gaz est supprimée, et l'uniformité de la température de la section tenue de substrat est améliorée. Un appareil de traitement de substrat est doté d'un contenant de traitement (102), un flux de gaz étant formé à partir d'une extrémité vers l'autre extrémité ; d’une section tenue de substrat (108), qui est disposée à une certaine position le long d'un canal de gaz d’un tel flux de gaz, et tient une tranche ; d’une section chauffage de la section tenue de substrat (140) qui chauffe la tranche en chauffant la section tenue de substrat ; d’une buse d'alimentation en gaz de traitement (206) disposée en amont de la section tenue de substrat ; d’une buse d'alimentation en gaz porteur (226) disposée en amont de la buse d'alimentation en gaz de traitement ; et d’une section chauffage de gaz porteur (240) destinée à chauffer un gaz porteur fourni au canal de gaz, en amont de la buse d'alimentation en gaz de traitement.
(JA) 基板保持部を高温に加熱して基板の被処理面に沿ってガスの流れを形成する際に,ガスの供給による基板保持部の上流側の温度低下を抑えて基板保持部の温度の均一性を向上させる。  一端側から他端側にガスの流れが形成される処理容器(102)と,そのガス流路の途中に設けられ,ウエハを保持する基板保持部(108)と,基板保持部を加熱してウエハを加熱する基板保持部加熱部(140)と,基板保持部よりも上流側に設けられた処理ガス供給ノズル(206)と,それよりもさらに上流側に設けられたキャリアガス供給ノズル(226)と,処理ガス供給ノズルよりも上流側において,ガス流路に供給されるキャリアガスを加熱するキャリアガス加熱部(240)とを設けた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)