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1. (WO2009122771) ドライエッチングガス及びそれを用いたドライエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122771    国際出願番号:    PCT/JP2009/051793
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 03.02.2009
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka, 5308323 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Shingo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Shingo; (JP)
代理人: Saegusa & Partners; Kitahama TNK Building, 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka, 5410045 (JP)
優先権情報:
2008-091528 31.03.2008 JP
発明の名称: (EN) DRY ETCHING GAS AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME
(FR) GAZ DE GRAVURE SÈCHE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE QUI L’UTILISE
(JA) ドライエッチングガス及びそれを用いたドライエッチング方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a dry etching gas containing CF3CF=CH2. The dry etching gas can prevent decrease in the etching rate of a silicon-containing film such as a silicon oxide film and selectively etch silicon in a resist or base material during a production process of a semiconductor device. The content ratio of CF3CF=CH2 is preferably 5-100% relative to the flow volume.
(FR)Cette invention se rapporte à un gaz de gravure sèche qui contient du CF3CF=CH2. Le gaz de gravure sèche peut empêcher une diminution de la vitesse de gravure d'une couche qui contient du silicium telle qu'une couche d'oxyde de silicium, et permet de graver de manière sélective le silicium dans un matériau de réserve ou de base au cours d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. La teneur en CF3CF=CH2 est comprise de préférence entre 5 % et 100 % par rapport au volume de flux.
(JA)本発明は、CFCF=CHを含むドライエッチングガスに関する。該ドライエッチングガスによれば、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができる。なお、CFCF=CHの含有率は、流量比5~100%であることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)