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1. (WO2009122581) 回路装置の駆動方法及び回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122581    国際出願番号:    PCT/JP2008/056692
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 03.04.2008
予備審査請求日:    30.10.2009    
IPC:
H01J 9/02 (2006.01), H01J 1/312 (2006.01), H01J 1/316 (2006.01)
出願人: PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Shin-ogura, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2120031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
PIONEER MICRO TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; No.465 Osato-cho, Kofu-shi, Yamanashi, 4000053 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OTSUKA, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OTSUKA, Masashi; (JP)
代理人: EGAMI, Tatsuo; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) CIRCUIT DEVICE DRIVING METHOD AND CIRCUIT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE CIRCUIT ET DISPOSITIF DE CIRCUIT
(JA) 回路装置の駆動方法及び回路装置
要約: front page image
(EN)A driving method of a circuit device which comprises a cold cathode electron emission element (21), a MOS transistor (11) in which either of a source region (11s) and a drain region (11d) thereof is electrically connected to one electrode (211) of the cold cathode electron emission element, a first voltage source (71) electrically connected to another electrode (212) of the cold cathode electron emission element, and a second voltage source (72) electrically connected to a semiconductor well region (11w) in which the MOS transistor is formed. The driving method of the circuit device comprising a step of, while forming an electron emission section (21a) within the cold cathode electron emission element, outputting a first potential signal from the first voltage source as well as a second potential signal from the second voltage source, which is different from the first potential signal, so as to allow forward current to flow within a pn junction between the semiconductor well region and the either region (source or drain).
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de commande d'un dispositif de circuit qui comprend un élément d'émission d'électrons à cathode froide (21), un transistor MOS (11) dans lequel une région de source (11s) ou une région de drain (11d) de celui-ci est connectée de manière électrique à une électrode (211) de l'élément d'émission d'électrons à cathode froide, une première source de tension (71) connectée de manière électrique à une autre électrode (212) de l'élément d'émission d'électrons à cathode froide, et une deuxième source de tension (72) connectée de manière électrique à une région de puits semi-conducteur (11w) dans laquelle le transistor MOS est formé. Le procédé de commande de dispositif de circuit comprend une étape consistant, tout en formant une section émission d'électrons (21a) dans l'élément d'émission d'électrons à cathode froide, à délivrer en sortie un premier signal de potentiel à partir de la première source de tension ainsi qu'un deuxième signal de potentiel à partir de la deuxième source de tension, qui est différent du premier signal de potentiel, de manière à permettre la circulation d'un courant direct à l'intérieur d'une jonction PN entre la région de puits semi-conducteur et l'une ou l'autre région (source ou drain).
(JA)回路装置の駆動方法は、冷陰極電子放出素子(21)と、ソース領域(11s)及びドレイン領域(11d)の一方の領域が、冷陰極電子放出素子の一の電極(211)に電気的に接続されたMOSトランジスタ(11)と、冷陰極電子放出素子の他の電極(212)に電気的に接続された第1電圧源(71)と、MOSトランジスタが形成された半導体ウェル領域(11w)に電気的に接続された第2電圧源(72)とを備える回路装置の駆動方法である。該回路装置の駆動方法は、冷陰極電子放出素子に電子放出部(21a)が形成される際に、半導体ウェル領域及び前記一方の領域間におけるpn接合部に順方向電流が流れるように、第1電圧源から第1電位信号が出力されると共に、第2電圧源から第1電位信号とは異なる第2電位信号が出力される電子放出部形成工程を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)