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1. (WO2009122496) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122496    国際出願番号:    PCT/JP2008/056330
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 31.03.2008
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: Fujitsu Semiconductor Limited [JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHKAWA, Narumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHKAWA, Narumi; (JP)
代理人: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1600015 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprises an insulating layer (12) formed on a semiconductor substrate (10), a conductive layer (18a) comprising Cu embedded in the insulating layer, a lower electrode (22) having a first barrier film (20a) composed of a conductive material formed on the conductive layer and the insulating layer, a first dielectric film (24a) formed on the lower electrode, a capacitative element (28) having an upper electrode (26a) formed on the first dielectric film, wiring (18b) comprising Cu embedded in the insulating layer, and a second barrier film (20b) composed of the conductive material formed on the wiring and the insulating layer.
(FR)Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend une couche isolante (12) formée sur un substrat semi-conducteur (10), une couche conductrice (18a) qui comprend du Cu enfoui dans la couche isolante, une électrode inférieure (22) qui présente un premier film barrière (20a) réalisé dans un matériau conducteur formé sur la couche conductrice et la couche isolante, un premier film diélectrique (24a) formé sur l'électrode inférieure, un élément capacitif (28) qui présente une électrode supérieure (26a) formée sur le premier film diélectrique, un câblage (18b) qui comprend le Cu enfoui dans la couche isolante, et un deuxième film barrière (20b) réalisé dans un matériau conducteur formé sur le câblage et la couche isolante.
(JA) 半導体基板10上に形成された絶縁層12と、絶縁層に埋め込まれたCuを含む導電層18aと、導電層上及び絶縁層上に形成された導電性材料より成る第1のバリア膜20aとを有する下部電極22と、下部電極上に形成された第1の誘電体膜24aと、第1の誘電体膜上に形成された上部電極26aとを有する容量素子28と、絶縁層に埋め込まれたCuを含む配線18bと、配線上及び絶縁層上に形成された導電性材料より成る第2のバリア膜20bとを有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)