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1. (WO2009122462) 終端回路、半導体装置、及び電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/122462    国際出願番号:    PCT/JP2008/000835
国際公開日: 08.10.2009 国際出願日: 31.03.2008
IPC:
H03H 11/28 (2006.01), H03H 11/46 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MARUYAMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MARUYAMA, Hiroshi; (JP)
代理人: OSUGA, Yoshiyuki; 3rd Fl., Nibancho Bldg., 8-20, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) TERMINAL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIRCUIT À BORNE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 終端回路、半導体装置、及び電子機器
要約: front page image
(EN)A resistance circuit in which one MOS transistor is used at least in diode connection is arranged on one of a pull up side between a transmission line and a power supply and a pull down side between the transmission line and a ground. The resistance circuit has a negative characteristic which sets a resistance value to be smaller as an application voltage becomes larger. The negative characteristic is excellent in terms of symmetry with a positive characteristic which sets the resistance value to be larger as the application voltage becomes larger possessed by the other resistance circuit in which the MOS transistor is used. With this, a variation amount given by the positive characteristic can be properly cancelled.
(FR)L'invention porte sur un circuit à résistance, dans lequel un transistor MOS est utilisé au moins de façon montée en diode, qui est agencé sur l'un d'un côté d'excursion haute entre une ligne de transmission et une alimentation électrique et d'un côté d'excursion basse entre la ligne de transmission et une masse. Le circuit à résistance a une caractéristique négative qui définit une valeur de résistance décroissante à mesure qu'une tension d'application croît. La caractéristique négative est excellente en termes de symétrie par rapport à une caractéristique positive qui définit la valeur de résistance comme étant croissante à mesure que la tension d'application croît, possédée par l'autre circuit à résistance dans lequel le transistor MOS est utilisé. Avec cela, une quantité de variation donnée par la caractéristique positive peut être correctement annulée.
(JA) 本発明では、伝送線路と電源間であるプルアップ側、及びその伝送線路とグランド間であるプルダウン側のうちの少なくとも一方に、1つのMOSトランジスタを少なくともダイオード接続させて用いられる構成の抵抗回路を配置する。その抵抗回路は、印加電圧が大きくなるほど抵抗値が小さくなる負特性を有する。その負特性は、MOSトランジスタを用いて構成された他の抵抗回路が有する、印加電圧が大きくなるほど抵抗値が大きくなる正特性と対称性が良好である。それにより、正特性による変化分を適切な形でキャンセルすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)