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1. (WO2009119804) 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119804    国際出願番号:    PCT/JP2009/056284
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 27.03.2009
IPC:
C22C 27/04 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01B 1/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058614 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MURATA, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MURATA, Hideo; (JP)
優先権情報:
2008-085631 28.03.2008 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM INTERCONNECT FOR ELECTRONIC COMPONENT, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMATION OF THIN FILM INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION EN FILM MINCE POUR COMPOSANT ÉLECTRONIQUE, ET MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION POUR LA FORMATION D'UNE INTERCONNEXION EN FILM MINCE
(JA) 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材
要約: front page image
(EN)Disclosed is a novel Mo alloy thin film interconnect which does not cause warpage of a substrate upon the formation of a film on the substrate even when the substrate has a large size, and has low resistivity and excellent heat resistance, corrosion resistance and adhesion to a substrate. Specifically disclosed is a thin film interconnect for an electronic component, which comprises a substrate and a metal film formed on the substrate. The metal film contains additive elements other than Mo, with the remainder being Mo and unavoidable impurities. In the metal film, Nb and W are contained as the additive elements in amounts of 2 to 15 at.% and 2 to 20 at.%, respectively, and in a total amount of 30 at.% or less relative to the total amount (100 at.%) of Mo and the additive elements.
(FR)Cette invention concerne une nouvelle interconnexion en film mince à base d'un alliage de Mo qui ne provoque pas le gauchissement d'un substrat après formation d'un film sur le substrat, même quand le substrat est de grande taille, et a une basse résistivité et excellente résistance à la chaleur, résistance à la corrosion et adhérence à un substrat. Une interconnexion en film mince pour composant électronique, qui comprend un substrat et un film métallique formé sur le substrat, est plus spécifiquement décrite. Le film métallique contient des éléments d'addition autres que Mo, le reste étant du Mo et des impuretés inévitables. Dans le film métallique, Nb et W sont contenus à titre d'éléments d'addition en des quantités de 2 à 15 % at. et de 2 à 20 % at., respectivement, et en une quantité totale de 30 % at. ou moins par rapport à la quantité totale (100 % at.) de Mo et des éléments d'addition.
(JA) 本発明の目的は、大型の基板への成膜においても、基板に反りが発生しない低抵抗で耐熱性、耐食性、基板との密着性に優れた新規なMo合金薄膜配線を提供することにある。  本発明は、基板上に金属膜を形成した薄膜配線において、前記金属膜はMoと添加元素の総量を100原子%とした時、該添加元素としてNbを2~15原子%、Wを2~20原子%、Nb+Wで30原子%以下含有し、残部Moおよび不可避的不純物でなる電子部品用薄膜配線である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)