WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009119641) 単原子膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119641    国際出願番号:    PCT/JP2009/055905
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 25.03.2009
IPC:
C23C 16/01 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), C01B 31/04 (2006.01)
出願人: WASEDA UNIVERSITY [JP/JP]; 104, Totsukamachi 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1698050 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSHIMA, Chuhei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OSHIMA, Chuhei; (JP)
代理人: KOJIMA, Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2008-079582 26.03.2008 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING MONOATOMIC FILM
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN FILM MONOATOMIQUE
(JA) 単原子膜の製造方法
要約: front page image
(EN)In a surface of a substrate comprising a chemically dissoluble metal or metal compound, a surface of a single crystal of the metal or metal compound is formed in which atoms constituting the metal or metal compound have been regularly arranged. This surface of the single crystal is used as a template, and a monoatomic film is formed on the single-crystal surface by the chemical vapor deposition (CVD) method in which a raw-material gas is brought into contact with the single-crystal surface. After the monoatomic film has been formed on the single-crystal surface of the substrate, this substrate is chemically dissolved away, whereby the monoatomic film is isolated. According to this process, a monoatomic film having a thickness corresponding to one atom, such as a graphene film or h-BN film, can be stably produced with satisfactory reproducibility. A monoatomic film having a far larger area than conventional ones and having satisfactory quality can be produced.
(FR)Selon l'invention, dans une surface d'un substrat incluant un métal ou un composé métallique pouvant être dissous chimiquement, une surface d'un monocristal du métal ou du composé métallique est formée et, dans celle-ci, des atomes constituant le métal ou le composé métallique sont disposés de façon régulière. Cette surface du monocristal est utilisée comme gabarit, et un film monoatomique est formé sur la surface monocristalline par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), une matière première gazeuse étant mise en contact avec la surface monocristalline. Après que le film monoatomique a été formé sur la surface monocristalline du substrat, ce substrat est chimiquement dissous et le film monoatomique est isolé. Selon ce procédé, un film monoatomique présentant une épaisseur correspondant à un atome, tel qu'un film de graphène ou un film de h-BN, peut être produit de façon stable avec une reproductibilité satisfaisante. Un film monoatomique présentant une surface beaucoup plus grande que les films classiques, et présentant une qualité satisfaisante, peut être produit.
(JA) 化学的に溶解可能な金属又は金属化合物からなる基体の表面に、上記金属又は金属化合物を構成する原子が規則的に配列した上記金属又は金属化合物の単結晶表面を形成し、該単結晶表面をテンプレートとして、上記単結晶表面に原料ガスを接触させる化学気相堆積(CVD)法により単結晶表面上に単原子膜を形成し、この単結晶表面上に単原子膜が形成された基体から該基体を化学的に溶解させることにより、単原子膜を単離する。本発明によれば、グラフェン膜、h-BN膜等の厚さが1原子分の単原子膜を、再現性よく安定的に製造することができ、従来に比較して飛躍的に大面積、かつ良質な単原子膜を製造することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)