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1. (WO2009119627) 金属系膜の成膜方法および記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119627    国際出願番号:    PCT/JP2009/055885
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 25.03.2009
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKABE, Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKABE, Shinya; (JP)
代理人: TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F, 1-7-20, Hirakawacho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0093 (JP)
優先権情報:
2008-087652 28.03.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF DEPOSITING METALLIC FILM AND MEMORY MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM MÉTALLIQUE ET MILIEU À MÉMOIRE
(JA) 金属系膜の成膜方法および記憶媒体
要約: front page image
(EN)For depositing a metallic film, the following steps are repeatedly conducted: a step in which a precoat film is formed on the inside of a chamber; a step in which two or more substrates to be treated are subjected to the deposition of a metallic film thereon by introducing each substrate into the precoated chamber, placing the substrate on the stage, feeding a treating gas while heating the substrate to generate a plasma of the treating gas, and depositing a metallic film on the substrate by plasma CVD; and a step in which after the film deposition on the substrates has been completed, a cleaning gas is introduced into the chamber to conduct dry cleaning. In the step in which two or more substrates to be treated are subjected to the deposition of a metallic film thereon, a conductive film is formed on the stage one or more times in the course of the step.
(FR)Selon l'invention, pour déposer un film métallique, les étapes suivantes sont effectuées de façon répétée : une étape dans laquelle un film de pré-revêtement est formé sur l'intérieur d'une chambre ; une étape dans laquelle au moins deux substrats devant être traités sont soumis au dépôt d'un film métallique sur ceux-ci par introduction de chaque substrat dans la chambre pré-revêtue, disposition du substrat sur la platine, introduction d'un gaz de traitement pendant le chauffage du substrat de façon à générer un plasma du gaz de traitement, et dépôt d'un film métallique sur le substrat par dépôt chimique en phase vapeur par plasma ; et une étape dans laquelle, après que le dépôt de film sur les substrats a été achevé, un gaz de nettoyage est introduit dans la chambre pour effectuer un nettoyage à sec. Dans l'étape dans laquelle au moins deux substrats devant être traités sont soumis au dépôt d'un film métallique sur ceux-ci, un film conducteur est formé sur la platine une ou plusieurs fois au cours de l'étape.
(JA) 金属系膜を成膜するにあたり、チャンバ内に、プリコート膜を成膜する工程と、プリコート後のチャンバ内に被処理基板を搬入してステージ上に載置し、被処理基板を加熱しつつ、処理ガスを供給して処理ガスのプラズマを生成し、プラズマCVDにより被処理基板に金属系膜を成膜する処理を複数枚の被処理基板について行う工程と、複数枚の被処理基板に対する成膜処理が終了した段階で、チャンバ内にクリーニングガスを導入してドライクリーニングを行う工程とを繰り返し行い、被処理基板に金属系膜を成膜する処理を複数枚の被処理基板について行う工程は、その途中で1回または2回以上、ステージ上へ導電性膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)