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1. (WO2009119583) 化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119583    国際出願番号:    PCT/JP2009/055825
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 24.03.2009
IPC:
C23C 16/42 (2006.01), C08G 77/50 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058640 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOBE, Yohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
CHUNG, Kang-go [KR/KR]; (JP) (米国のみ).
SAITO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOKUBO, Terukazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Hisashi; (JP).
NOBE, Yohei; (JP).
CHUNG, Kang-go; (JP).
SAITO, Ryuichi; (JP).
KOKUBO, Terukazu; (JP)
代理人: OFUCHI, Michie; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg., 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo, 1670051 (JP)
優先権情報:
2008-079734 26.03.2008 JP
2008-124327 12.05.2008 JP
2008-225736 03.09.2008 JP
2008-225735 03.09.2008 JP
2008-233115 11.09.2008 JP
発明の名称: (EN) MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, SILICON-CONTAINING INSULATING FILM AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) MATÉRIAU POUR DÉPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR UN PROCÉDÉ CHIMIQUE, FILM ISOLANT CONTENANT DU SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A material for chemical vapor deposition, containing an organosilane represented by general formula (1) [wherein R1 and R2 may be the same or different and are each hydrogen, alkyl having 1 to 4 carbon atoms, vinyl, or phenyl; R3 and R4 may be the same or different and are each alkyl having 1 to 4 carbon atoms, acetyl, or phenyl; m is an integer of 0 to 2; and n is an integer of 1 to 3].
(FR)Cette invention concerne un matériau pour déposition en phase gazeuse par un procédé chimique contenant un organosilane représenté par la formule générale (1) [dans la formule, R1 et R2 peuvent être identiques ou différents et sont, chacun, un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone, un groupe vinyle, ou phényle ; R3 et R4 peuvent être identiques ou différents et sont, chacun, un groupe alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone, un groupe acétyle, ou phényle ; m est un nombre entier de 0 à 2 ; et n est un nombre entier de 1 à 3].
(JA) 化学気相成長法用材料は、下記一般式(1)で表される有機シラン化合物を含む。 【化1】 ・・・・・(1) (式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、RおよびRは同一または異なり、炭素数1~4のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、mは0~2の整数を示し、nは1~3の整数を示す。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)