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1. (WO2009119356) 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119356    国際出願番号:    PCT/JP2009/054951
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 13.03.2009
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/201 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4678530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYOSHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KURAOKA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUMIYA, Shigeaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYOSHI, Makoto; (JP).
KURAOKA, Yoshitaka; (JP).
SUMIYA, Shigeaki; (JP).
TANAKA, Mitsuhiro; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2008-075580 24.03.2008 JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SMEICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL POUR ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an epitaxial substrate that has good two-dimensional electron gas properties and has a reduced strain-derived internal stress. The epitaxial substrate comprises a channel layer formed of a first group III nitride represented by Inx1Aly1Gaz1N wherein x1 + y1 + z1 = 1 and which has a composition satisfying x1 = 0 and 0 ≤ y1 ≤ 0.3. The epitaxial substrate further comprises a barrier layer formed of a second group III nitride represented by Inx2Aly2Gaz2N wherein x2 + y2 + z2 = 1 and which has a composition that falls within an area surrounded by five straight lines determined dependent upon the composition of the first group III nitride (AlN molar fraction) on a ternary phase diagram in which InN, AlN, and GaN constitute vertices.
(FR)L’invention concerne un substrat épitaxial présentant de bonnes propriétés du gaz d'électrons bidimensionnel (GE2D) et une tension interne due aux contraintes réduite. Le substrat épitaxial comprend une couche canal constituée d'un premier nitrure du groupe III représenté par la formule: Inx1Aly1Gaz1N, dans laquelle x1 + y1 + z1 = 1, et dont la composition correspond aux relations x1 = 0 et 0 ≤ y1 ≤ 0.3. Le substrat épitaxial comprend également une couche barrière constituée d'un second nitrure du groupe III représenté par la formule: Inx2Aly2Gaz2N, dans laquelle x2 + y2 + z2 = 1, et dont la composition se situe dans une aire entourée de cinq lignes droites déterminées en fonction de la composition du premier nitrure du groupe III (fraction molaire d'AlN) sur un diagramme de phase ternaire dans lequel InN, AlN et GaN constituent des sommets.
(JA) 良好な二次元電子ガス特性を有し、歪みによる内部応力が低減されてなるエピタキシャル基板を提供する。チャネル層を、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1)で表される第1のIII族窒化物であって、x1=0、0≦y1≦0.3で定まる範囲内の組成を有するように形成し、障壁層を、Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2=1)で表される第2のIII族窒化物であって、InN、AlN、GaNを頂点とする三元状態図上において、第1のIII族窒化物の組成(AlNモル分率)に応じて定まる5つの直線にて囲まれる範囲内にその組成があるように形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)