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1. (WO2009119154) 卑金属粉末およびその製法、導体ペースト、ならびに電子部品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119154    国際出願番号:    PCT/JP2009/051356
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 28.01.2009
IPC:
B22F 1/00 (2006.01), B22F 9/30 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), H01B 5/00 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TERASHI, Yoshitake [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TERASHI, Yoshitake; (JP)
代理人: FUKAI, Toshikazu; OMM Bldg. 8th Floor, 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406591 (JP)
優先権情報:
2008-075826 24.03.2008 JP
発明の名称: (EN) BASE METAL POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE BASE METAL POWDER, CONDUCTOR PASTE, AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) POUDRE DE MÉTAL DE BASE, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE LA POUDRE DE MÉTAL DE BASE, PÂTE CONDUCTRICE ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 卑金属粉末およびその製法、導体ペースト、ならびに電子部品
要約: front page image
(EN)Disclosed is a base metal powder that is composed mainly of a base metal, has an average particle diameter of 5 to 30 nm, and exhibits such an X-ray diffraction pattern that the diffracted intensity of one of a main peak in a hexagonal closest packing structure (hcp) of the base metal and a main peak of an oxide of the base metal, which is a higher diffracted intensity, is not more than 10% of the diffracted intensity of a main peak in a cubic closest packing structure (ccp) of the base metal. Also disclosed are a process for producing the base metal powder, a conductor paste, and an electronic component. The conductor paste comprises the base metal powder and an organic vehicle. The electronic component comprises an insulator and a conductor film provided on a surface of the insulator. The conductor film is formed by firing the conductor paste provided on the surface of the insulator.
(FR)L'invention porte sur une poudre de métal de base qui est composée principalement d'un métal de base, qui présente un diamètre de particule moyen de 5 à 30 nm et qui présente un motif de diffraction des rayons X tel que l'intensité diffractée de l'un d'un pic principal dans une structure hexagonale compacte (hcp) du métal de base et d'un pic principal d'un oxyde du métal de base, qui est une intensité diffractée plus élevée, n'est pas supérieure à 10 % de l'intensité diffractée d'un pic principal dans une structure cubique compacte (ccp) du métal de base. L'invention porte également sur un procédé pour produire la poudre de métal de base, sur une pâte conductrice et sur un composant électronique. La pâte conductrice inclut la poudre de métal de base et un véhicule organique. Le composant électronique inclut un isolant et un film conducteur disposé sur une surface de l'isolant. Le film conducteur est formé par cuisson de la pâte conductrice disposée sur la surface de l'isolant.
(JA) 卑金属を主成分とし、平均粒径が5~30nmであり、X線回折パターンにおいて、前記卑金属の六方最密構造(hcp)の主ピークおよび前記卑金属の酸化物の主ピークのうちの強い方の回折強度が、前記卑金属の立方最密構造(ccp)の主ピークの回折強度の10%以下である卑金属粉末と、その製法とを提供する。本発明の導体ペーストは、前記卑金属粉末と、有機ビヒクルとを含む。本発明の電子部品は、絶縁体と、該絶縁体の表面に設けられた導体膜とを具備し、前記導体膜が、前記絶縁体の表面に設けられた前記導体ペーストを焼成して形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)