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1. (WO2009119125) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/119125    国際出願番号:    PCT/JP2009/050098
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 07.01.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASAHARA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORI, Masafumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSURUGA, Shigenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMASHITA, Nobuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKAI, Satoshi; (JP).
ASAHARA, Yuji; (JP).
KOBAYASHI, Yasuyuki; (JP).
MORI, Masafumi; (JP).
TSURUGA, Shigenori; (JP).
YAMASHITA, Nobuki; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; 37F The Landmark Tower Yokohama 2-2-1, Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2208137 (JP)
優先権情報:
2008-088596 28.03.2008 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)Short circuit current of a photoelectric converter is enhanced by optimizing a transparent conductive layer. The photoelectric converter (100) has a first transparent electrode layer (2), a power generation layer (3), a second transparent electrode layer (6), and a back surface electrode layer (4) formed on a substrate (1). The film thickness of the second transparent electrode layer (6) is 80 nm or more but not more than 100 nm, and the light absorptivity of the second electrode layer (6) in the wavelength region of 600 nm or more but not more than 1,000 nm is 1.5% or less. In the photoelectric converter (100), the second transparent electrode layer (6) has a film thickness of 80 nm or more but not more than 100 nm, and the second transparent electrode layer (6) and the back surface electrode layer (4) have a reflectivity of light of 91% or above in the wavelength region of 600 nm or more but not more than 1,000 nm.
(FR)Selon l’invention, un courant de court-circuit d'un convertisseur photoélectrique est amélioré par optimisation d'une couche conductrice transparente. Le convertisseur photoélectrique (100) possède une première couche d'électrode transparente (2), une couche de génération d'électricité (3), une seconde couche d'électrode transparente (6) et une couche d'électrode de surface arrière (4) formées sur un substrat (1). L'épaisseur de film de la seconde couche d'électrode transparente (6) est supérieure ou égale à 80 nm mais n'est pas supérieure à 100 nm, et l'absorptivité de lumière de la seconde couche d'électrode (6), dans la région de longueur d'onde de 600 nm ou plus mais de pas plus de 1 000 nm, est de 1,5 % ou moins. Dans le convertisseur photoélectrique (100), la seconde couche d'électrode transparente (6) possède une épaisseur de film de 80 nm ou plus mais de pas plus de 100 nm, et la seconde couche d'électrode transparente (6) et la couche d'électrode de surface arrière (4) possèdent une réflectivité de lumière de 91 % ou plus dans la région de longueur d'onde de 600 nm ou plus mais de pas plus de 1 000 nm.
(JA) 透明導電層を最適化することによって、光電変換装置の短絡電流を向上させる。基板(1)上に第1透明電極層(2)と、発電層(3)と、第2透明電極層(6)と、裏面電極層(4)とを備える光電変換装置(100)であって、前記第2透明電極層(6)の膜厚が80nm以上100nm以下であり、波長600nm以上1000nm以下の領域における前記第2透明電極層(6)の光吸収率が1.5%以下であることを特徴とする光電変換装置(100)。及び、前記第2透明電極層(6)の膜厚が80nm以上100nm以下であり、前記第2透明電極層(6)及び前記裏面電極層(4)で反射された光の反射率が、波長600nm以上1000nm以下の領域で91%以上であることを特徴とする光電変換装置(100)。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)