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1. (WO2009118901) 薄膜形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/118901    国際出願番号:    PCT/JP2008/056144
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 28.03.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
出願人: YAMOTO, Hisayoshi [JP/JP]; (JP).
HITACHI KOKUSAI ELECTRIC, INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1018980 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HORII, Sadayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMOTO, Hisayoshi; (JP).
HORII, Sadayoshi; (JP)
代理人: USHIKI, Mamoru; 3rd Fl., Yusei Fukushi Kotohira Bldg., 14-1, Toranomom 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR THIN FILM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE MINCE
(JA) 薄膜形成方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a method for thin film formation, which can prevent the deposition of carbon atoms on a substrate to form a high-quality thin film. The method for thin film formation comprises an adsorption step of dissolving a predetermined atom-containing starting compound in a solvent to give a starting material solution, gasifying the starting material solution in a vaporizer (4) to give a starting gas, supplying the starting gas into a reaction chamber (2), and adsorbing the above starting compound to a heated thin-film forming material (12), and a layer forming step of supplying an oxidizing gas to the reaction chamber (2), and oxidizing the starting compound adsorbed on the surface of the thin-film forming material (12) to form an oxide layer containing the atoms. A thin-film formation cycle from the adsorption step to the layer forming step is repeated to form a thin film on the thin-film forming material (12). The method is characterized in that the thermal decomposition temperature of the solvent is above the temperature of the thin-film forming material (12).
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de formation de couche mince, qui permet d’empêcher le dépôt d’atomes de carbone sur un substrat de manière à former une couche mince de haute qualité. Le procédé de formation de couche mince comprend une étape d'adsorption consistant à dissoudre un composé prédéterminé de départ qui contient des atomes dans un solvant de manière à obtenir une solution de matériau de départ, à gazéifier la solution de matériau de départ dans un vaporiseur (4) de manière à obtenir un gaz de départ, à amener le gaz de départ dans une chambre de réaction (2), et à adsorber le composé de départ ci-dessus sur un matériau de formation de couche mince chauffé (12), ainsi qu’une étape de formation de couche consistant à amener un gaz d’oxydation à la chambre de réaction (2), et à oxyder le composé de départ adsorbé sur la surface du matériau de formation de couche mince (12) de manière à former une couche d'oxyde qui contient les atomes. Un cycle de formation de couche mince à partir de l'étape d'adsorption jusqu'à l'étape de formation de couche est répété de manière à former une couche mince sur le matériau de formation de couche mince (12). Le procédé est caractérisé en ce que la température de décomposition thermique du solvant se situe au-dessus de la température du matériau de formation de couche mince (12).
(JA)炭素原子が基板上に堆積するのを防いで、高品質の薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。 薄膜形成方法は、所定の原子を含む原料化合物を溶媒に溶かした原料溶液を生成し、前記原料溶液を気化器4でガス化した原料ガスを反応室2に供給して、加熱した薄膜被形成物12に前記原料化合物を吸着させる吸着工程と、前記反応室2に酸化性ガスを供給し、前記薄膜被形成物12の表面に吸着した前記原料化合物を酸化して前記原子を含む酸化物層を形成する層形成工程とを備え、前記吸着工程から前記層形成程までの薄膜形成サイクルを繰り返して薄膜被形成物12上に薄膜を形成する。前記溶媒の熱分解温度が前記薄膜被形成物12の温度より高いことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)