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1. (WO2009118783) 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/118783    国際出願番号:    PCT/JP2008/000740
国際公開日: 01.10.2009 国際出願日: 26.03.2008
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: HIROSHIMA UNIVERSITY [JP/JP]; 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashihiroshima-shi, Hiroshima, 7398511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MAKIHARA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAZAKI, Seiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHI, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MAKIHARA, Katsunori; (JP).
MIYAZAKI, Seiichi; (JP).
HIGASHI, Seiichiro; (JP)
代理人: MATSUYAMA, Takao; Intelix International, Aqua Dojima West, 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM USING SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR QUANTUM DOT USED FOR SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, SYSTÈME DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS QUI L’UTILISE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN POINT QUANTIQUE UTILISÉ POUR UNE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a semiconductor memory having the structure of a composite floating gate capable of improving the holding characteristics of information. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A semiconductor memory (110) has a composite floating structure in which quantum dots (311) composed of Si coated with a super thin Si oxide film are stacked on an insulating film (105) formed on a semiconductor substrate (101), quantum dots (321) coated with a high-dielectric insulating film (322) are stacked on the quantum dots (311), and quantum dots (411) composed of Si coated with a high-dielectric insulating film (412) are stacked on the quantum dots (321). The quantum dots (321) are composed of core layers (3211) and clad layers (3212) covering the core layers (3211). The occupancy level of electrons in the core layers (3211) is lower than the occupancy level of electrons in the clad layers (3212).
(FR)Cette invention a pour objet une mémoire à semi-conducteurs qui présente la structure d'une grille flottante composite capable d'améliorer les caractéristiques de maintien d’informations. Une mémoire à semi-conducteurs (110) présente une structure flottante composite dans laquelle des points quantiques (311), composés de Si revêtus d'une pellicule d'oxyde de Si ultra-mince, sont empilés sur un film isolant (105) formé sur un substrat semi-conducteur (101), des points quantiques (321) revêtus d'une pellicule isolante fortement diélectrique (322) sont empilés sur les points quantiques (311), et des points quantiques (411) composés de Si revêtus d'une pellicule isolante fortement diélectrique (412) sont empilés sur les points quantiques (321). Les points quantiques (321) se composent de couches centrales (3211) et de couches de placage (3212) qui couvrent les couches centrales (3211). Le niveau d'occupation des électrons dans les couches centrales (3211) est inférieur au niveau d'occupation des électrons dans les couches de placage (3212).
(JA)【課題】情報の保持特性を向上可能な複合フローティングゲートの構成を有する半導体メモリを提供する。 【解決手段】半導体メモリ(110)は、半導体基板(101)上に形成した絶縁膜(105)上に、極薄Si酸化膜により被膜したSiからなる量子ドット(311)を積層し、その上に高誘電率絶縁膜(322)で被膜した量子ドット(321)を積層し、さらに高誘電率絶縁膜(412)で被膜したSiからなる量子ドット(411)を積層した複合フローティング構造を有する。量子ドット(321)は、コア層(3211)と、コア層(3211)を覆うクラッド層(3212)とからなる。そして、コア層(3211)における電子の占有準位は、クラッド層(3212)における電子の占有準位よりも低い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)