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1. (WO2009116580) 太陽電池及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2009/116580 国際出願番号: PCT/JP2009/055312
国際公開日: 24.09.2009 国際出願日: 18.03.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/075 (2012.01)
出願人: FUJISHIMA, Daisuke; null (UsOnly)
SANYO ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP (AllExceptUS)
発明者: FUJISHIMA, Daisuke; null
代理人: TERAYAMA, Keishin; c/o Miyoshi International Patent Office Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2008-07248419.03.2008JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
要約: front page image
(EN) Disclosed is a solar cell comprising a photoelectric conversion part for producing a photoproduction carrier upon reception of light, a first transparent conductive film formed on a first major surface of the photoelectric conversion part, and a second transparent conductive film formed on a second major surface which is on the reverse side of the first major surface. The first major surface is composed of an n-type semiconductor layer, while the second major surface is composed of a p-type semiconductor layer. The hydrogen atom content in the n-type semiconductor layer side of the first transparent conductive film is lower than the hydrogen atom content of the second transparent conductive film.
(FR) L'invention porte sur une cellule solaire comprenant une partie de conversion photoélectrique pour produire un porteur de photoproduction lors de la réception de lumière, un premier film conducteur transparent formé sur une première surface majeure de la partie de conversion photoélectrique, et un second film conducteur transparent formé sur une seconde surface majeure qui est sur le côté inverse de la première surface majeure. La première surface majeure est composée d'une couche semi-conductrice du type n, tandis que la seconde surface majeure est composée d'une couche semi-conductrice du type p. La teneur en atomes d'hydrogène dans le côté de couche semi-conductrice du type n du premier film conducteur transparent est inférieure à la teneur en atomes d'hydrogène du second film conducteur transparent.
(JA)  太陽電池が、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部と、光電変換部の第1主面上に形成される第1透明導電膜と、第1主面の反対側に設けられる第2主面上に形成される第2透明導電膜とを備え、第1主面はn型半導体層によって形成され、第2主面はp型半導体層によって形成されており、第1透明導電膜のn型半導体層側における水素原子含有率は、第2透明導電膜の水素原子含有率よりも低い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)