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国際公開番号: WO/2009/116153 国際出願番号: PCT/JP2008/055114
国際公開日: 24.09.2009 国際出願日: 19.03.2008
IPC:
H01S 5/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
12
周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザ(DFBレーザ)におけるもの
出願人: HATORI, Nobuaki[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAMOTO, Tsuyoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
FUJITSU LIMITED[JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
発明者: HATORI, Nobuaki; JP
YAMAMOTO, Tsuyoshi; JP
代理人: SANADA, Tamotsu; Kichijoji-Mark Bldg. 5th Floor 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
要約:
(EN) A semiconductor light emitting element includes a GaAs substrate (1) and an active layer (3) provided on the GaAs substrate (1). The active layer (3) includes a lower barrier layer (31) lattice-matched with the GaAs substrate (1), a quantum dot (32) formed on the lower barrier layer (31), a strain-reducing layer (33) covering the side of the quantum dot (32), and an upper barrier layer (34) making contact with the upper part of the quantum dot (32). In the upper barrier layer (34), at least the portion in contact with the upper part of the quantum dot (32) is lattice-matched with the GaAs substrate (1), and a band gap is made larger than the quantum dot and smaller than the GaAs.
(FR) L'invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur qui comprend un substrat GaAs (1) et une couche active (3) formée sur le substrat GaAs (1). La couche active (3) comprend une couche barrière inférieure (31) en accord de maille avec le substrat GaAs (1), un point quantique (32) formé sur la couche barrière inférieure (31), une couche de réduction de contrainte (33) couvrant le côté du point quantique (32), et une couche barrière supérieure (34) en contact avec la partie supérieure du point quantique (32). Dans la couche barrière supérieure (34), au moins la partie en contact avec la partie supérieure du point quantique (32) est en accord de maille avec le substrat GaAs (1), et une bande interdite est rendue plus grande que le point quantique et plus petite que le GaAs.
(JA)  半導体発光素子を、GaAs基板(1)と、GaAs基板(1)上に設けられた活性層(3)とを備え、活性層(3)を、GaAs基板(1)と格子整合した下部障壁層(31)と、下部障壁層(31)上に形成された量子ドット(32)と、量子ドット(32)の側面を覆う歪緩和層(33)と、量子ドット(32)の上部に接する上部障壁層(34)とを備えるものとし、上部障壁層(34)を、少なくとも量子ドット(32)の上部に接する部分が、GaAs基板(1)と格子整合し、かつ、バンドギャップが、量子ドットよりも大きく、GaAsよりも小さくする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)