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1. (WO2009113659) 半導体発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/113659    国際出願番号:    PCT/JP2009/054873
国際公開日: 17.09.2009 国際出願日: 13.03.2009
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKABE, Takehiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRAIWA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKATA, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIKI, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUNAGA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHINOHARA, Hironao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKABE, Takehiko; (JP).
HIRAIWA, Daisuke; (JP).
NAKATA, Masato; (JP).
MIKI, Hisayuki; (JP).
FUKUNAGA, Naoki; (JP).
SHINOHARA, Hironao; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6620 (JP)
優先権情報:
2008-064716 13.03.2008 JP
2008-117866 28.04.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light-emitting device comprising a substrate (101), a multilayer semiconductor structure (20) formed on the substrate (101) and including a light-emitting layer (105), a light-transmitting electrode (109) formed on the upper surface of the multilayer semiconductor structure (20), and a bonding layer (110) and a bonding pad electrode (107) formed on the light-transmitting electrode (109). The bonding pad electrode (107) has a multilayer structure including a metal reflection layer (107a) and a bonding layer (107c) sequentially arranged from the light-transmitting electrode (109) side, and the metal reflection layer (107a) is composed of a metal selected from the group consisting of Ag, Al, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt or an alloy containing the metal.
(FR)L'invention porte sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteur qui comporte un substrat (101), une structure semi-conductrice multicouche (20) formée sur le substrat (101) et comprenant une couche électroluminescente (105), une électrode transmettant la lumière (109) formée sur la surface supérieure de la structure semi-conductrice multicouche (20), et une couche de liaison (110) et une électrode à plot de connexion (107) formées sur l'électrode transmettant la lumière (109). L'électrode à plot de connexion (107) présente une structure multicouche comprenant une couche de réflexion métallique (107a) et une couche de liaison (107c) agencées successivement depuis le côté électrode transmettant la lumière (109), et la couche de réflexion métallique (107a) est composée d'un métal choisi dans le groupe comprenant Ag, Al, Ru, Rh, Pd, Os, Ir et Pt ou d'un alliage contenant le métal.
(JA) 本発明の半導体発光素子は、基板(101)と、前記基板(101)上に形成されてなる発光層(105)を含む積層半導体層(20)と、前記積層半導体層(20)の上面に形成された透光性電極(109)と、前記透光性電極(109)上に形成された接合層(110)及びボンディングパッド電極(107)とを具備し、前記ボンディングパッド電極(107)は、透光性電極(109)側から順次積層された金属反射層(107a)とボンディング層(107c)とを含む積層構造からなり、前記金属反射層(107a)は、Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptからなる群から選択される1種の金属又は当該金属を含む合金からなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)