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1. (WO2009113441) シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/113441    国際出願番号:    PCT/JP2009/054152
国際公開日: 17.09.2009 国際出願日: 05.03.2009
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
出願人: SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi, Omura-shi, Nagasaki, 8568555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUDA, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUDA, Tomohiro; (JP)
代理人: SHOBAYASHI, Masayuki; Takase Bldg., 25-8, Higashi-ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
2008-061659 11.03.2008 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL PULL-UP APPARATUS AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) APPAREIL D'EXTRACTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a silicon single crystal pull-up apparatus that can grow a silicon single crystal having a desired electrical resistivity, to which a sublimable dopant has been reliably added, regardless of the length of the time necessary for the formation of a first half part of a straight body part in a silicon single crystal. Also disclosed is a process for producing a silicon single crystal. The silicon single crystal pull-up apparatus pulls up a silicon single crystal from a melt by a Czochralski method. The silicon single crystal pull-up apparatus comprises a pull-up furnace, a sample chamber that is externally mounted on the pull-up furnace and houses a sublimable dopant, a shielding mechanism that thermally shields the pull-up furnace and the sample chamber, and supply means that, after the release of shielding of the shielding mechanism, supplies the sublimable dopant into the melt.
(FR)L'invention concerne un appareil d'extraction de monocristal de silicium susceptible de cultiver un monocristal de silicium de résistivité électrique désirée, auquel on a ajouté un dopant sublimable en toute fiabilité, quel que soit le temps nécessaire à la formation d'une première moitié de partie du corps droite dans un monocristal de silicium. Elle porte également sur un procédé de fabrication de monocristal de silicium. L'appareil d'extraction de monocristal de silicium permet d'extraire un monocristal de silicium d'un produit en fusion selon un procédé de Czochralski. L'appareil d'extraction de monocristal de silicium comprend un four d'extraction, une chambre d'échantillonnage montée à l'extérieur du four d'extraction et contenant un dopant sublimable, un mécanisme de protection assurant la protection thermique du four d'extraction et de la chambre d'échantillonnage, et un moyen d'alimentation qui, après inhibition du mécanisme de protection, injecte le dopant sublimable dans le produit de fusion.
(JA) シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。  このシリコン単結晶引上装置は、チョクラルスキー法により融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉と、前記引上炉に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室と、前記引上炉と前記試料室とを熱的に遮断する遮蔽機構と、前記遮蔽機構の遮断を解除した後に前記昇華性ドーパントを融液に供給する供給手段と、を含んでなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)